一、FY2026Q3业绩情况
- 业绩总览：FY26Q3实现营收414.56亿美元，环比增长74%，同比增长346%，超出指引；Non-GAAP毛利率达到84.9%，环比增长10个百分点，同比增长45.9个百分点，超出指引。
- 供给情况：公司提升晶圆厂产出效率，推进全球制造版图扩张，美国本土ID1、ID2晶圆厂建设有序推进，纽约州晶圆厂集群首座厂房破土动工，弗吉尼亚州马纳萨斯工厂启动1α DDR4工艺量产，台湾铜锣厂区收购完成并加速规模化出货，日本、新加坡厂区按计划推进。
- 现金流&资本支出：FY26Q3经营现金流254亿美元，资本开支71亿美元，自由现金流183亿美元，创单季历史新高。
- 库存：FY26Q3末存货规模86亿美元，存货周转天数120天，其中DRAM库存极度紧张，周转天数不足120天。
- 全年需求展望：预计2026年DRAM产能增速匹配行业，NAND增速略低于行业；供需紧张格局预计延续至2027年之后。
二、营收拆分
- 按产品营收拆分：DRAM产品线营收313亿美元，环比增长67%，同比增长343%；NAND产品线营收99亿美元，环比增长99%，同比增长361%。
- 按业务部门营收拆分：云内存业务部（CMBU）营收137.7亿美元，环比增长78%；核心数据中心业务部（CDBU）营收115.2亿美元，环比增长103%；移动和客户端业务部（MCBU）营收115.2亿美元，环比增长49%；汽车和嵌入式业务部（AEBU）营收46.3亿美元，环比增长71%。
- 按终端市场营收拆分：数据中心市场受益于AI和传统服务器需求增长；PC&手机市场高端机型涨价需求具备韧性，智能体AI平台提升产品价值；汽车&机器人市场ADAS和实体AI加速落地，推动存储需求增长。
三、公司业绩指引
- 收入：预计FY26Q4营收500亿美元，环比增长20.6%，同比增长341.9%。
- 毛利率：预计FY26Q4毛利率86%，环比增长1.1个百分点。
- 运营支出：FY26Q4 GAAP运营支出约18.6亿美元，Non-GAAP运营支出约16.5亿美元；预计FY2027运营支出增加10亿美元，主要用于研发投资。
- 稀释每股收益：预计FY26Q4 Non-GAAP每股收益31.00美元，创出新高。
- 资本支出：FY26Q4资本开支约100亿美元，FY2026全年资本总投入约270亿美元；FY2027单季资本开支水平预计高于第四财季，主要用于厂房建设。
四、Q&A环节
- 战略客户协议（SCA）：公司已签署16份SCA协议，覆盖数据中心、消费电子、汽车市场，采用照付不议模式，锁定长期需求和出货规模，部分协议采用固定定价或价格区间模式，保底营收规模约1000亿美元，预计定金及相关履约资金220亿美元。
- HBM市场：公司HBM4产品营收已突破10亿美元，战略上设定HBM份额与DRAM整体份额基本匹配，以保障多元化终端市场供货。
- 供需情况：预计2027年存储行业仍处于供需偏紧格局，供需缺口规模将持续扩大，需求端AI算力需求持续扩张，推动存储需求增长。
五、风险提示
