台积电资本开支超预期,推动半导体设备商受益于国产替代与需求共振。台积电宣布未来三年资本支出将更高,预计2026年达520-560亿美元,2025年为409亿美元;2026年Q1预计收入346-358亿元,毛利率63-65%,均超预期,主要受益于下游AI需求,阿斯麦、应用材料、拉姆等股价持续创新高。
存储需求持续放量,全球存储持续涨价。2026年1月5日,三星与SK海力士宣布一季度DRAM报价上调60-70%,主要因AI需求激增导致HBM产能挤占传统DRAM供应,叠加原厂扩产受限,供需缺口持续扩大。AI驱动需求爆发,AI服务器对高性能存储(HBM、DDR5)需求激增,挤压传统DRAM产能,导致DDR4等产品供应紧张;同时DRAM库存周期从2023年的31周降至2025年10月的8周,原厂削减DDR4产能转向高利润的HBM和DDR5。
中日关系不确定性增加,设备国产替代有望加速。2026年1月6日,商务部发布公告对日实施两用物项出口管制。日本在涂胶显影与清洗设备领域占据全球主导地位,并在薄膜沉积、刻蚀等关键工艺保持技术领先。2024年中国大陆自日进口半导体设备391.7亿元,占同期总进口额23%,依赖度居高不下。地缘政治风险陡升,为确保供应链安全,本土Fab厂国产替代节奏有望加速。
投资建议:重点推荐前道平台化设备商【北方华创】【中微公司】,低国产化率环节设备商【芯源微】【中科飞测】【精测电子】,薄膜沉积设备商【拓荆科技】【微导纳米】,后道封测【华峰测控】【长川科技】【迈为股份】。
风险提示:下游扩产速度不及预期,设备国产化进程不及预期。