公司动态研究报告：半导体设备迎来升级窗口，“薄膜沉积+三维集成”技术领先

核心观点与关键数据

• 技术突破与规模化量产：拓荆科技在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技术突破与规模化量产，显著提升了公司在先进制程领域的核心竞争力，业务规模大幅增长。2025年实现营业收入65.19亿元（同比增长58.87%），归母净利润9.27亿元（同比增长34.67%）；2026年一季度实现营业收入11.12亿元（同比增长56.97%），归母净利润5.71亿元（同比增长488.29%）。
• 行业驱动与升级窗口：新技术、新行业的发展驱动芯片革新，全环绕栅极（GAA）、背面供电、高K金属栅、高带宽存储器（HBM）等技术的应用，对薄膜沉积材料提出更高要求，先进硬掩膜和介质薄膜成为前沿技术节点芯片制造的新趋势。等离子体均匀性、高深宽比结构薄膜覆盖性等核心工艺难题，推动高端薄膜沉积设备技术升级。
• 混合键合赋能三维集成：3DNAND、HBM、3DDRAM、CIS等领域通过混合键合技术实现高密度集成，打破单芯片制程演进的物理限制。混合键合设备在3D封装、Chiplet、异质集成等领域形成多领域需求共振。

研究结论

• 产品布局：公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品。
• 盈利预测：预测公司2026-2028年收入分别为85.10、108.98、150.10亿元，EPS分别为5.55、8.56、10.20元，对应PE分别为113、73、62倍。
• 投资评级：维持“买入”投资评级。

风险提示

• 宏观经济风险、产品研发不及预期风险、行业竞争加剧风险、下游需求不及预期风险。