核心观点
- 存储周期:看好存储周期,存在技术升级、产品涨价和融资周期三重特征,看好存储原厂和设计公司、存储设备链、存储代工和封测公司。
- 存储涨价驱动:元旦后存储价格超预期上涨,主要受NAND Flash、NOR Flash价格上涨驱动,以及三星MLC NAND退出市场、旺宏抢占市场份额等因素影响。
- 存储供需关系:NAND Flash供需失衡,需求持续推理拉动,原厂控扩产谨慎,预计2026年DRAM和NAND全年涨价。
- 存储产业链投资机会:推荐设计公司(兆易、君正)、两存供应链公司(中微、拓晶、微导纳、新元微、华海清科)、两存配套公司(洛希代、华润微、汇成股份)。
- 国产算力:国产算力需求饱满,国产GPU公司在互联网侧有进展,互联网公司加速ASIC研发。
- 国产算力投资机会:推荐新元股份、伟测科技、华丰科技。
关键数据
- NAND Flash合约价:Q1合约价超预期上涨,DRAM合约价涨幅达50-60点,NAND合约价涨幅达30点以上。
- MLC NAND产能:2026年MLC NAND产能预计减少4%,加剧供需失衡。
- NOR Flash价格:Q1 NOR Flash涨价达30-40点,中容量涨幅更大。
- 国产算力订单:新源四季度新签订单25亿,环增60%,字节跳动订单2026年预计百亿,三年左右400亿。
- H200出口:英伟达已启动H200产线,但具体细节仍在敲定,不改变国产替代趋势。
研究结论
- 存储板块在国产算力融资和产业技术升级背景下,将维持关注度和超额表现。
- 国产算力2026年是多维度共振的板块,产能端、下游应用端、技术端均将迎来爆发。
- 国产算力产业链是买入趋势,推荐新元股份、伟测科技、华丰科技。