电子行业研究周报：美光业绩指引超预期，存储涨价或影响下游出货

核心观点与关键数据

美光业绩指引超预期，公司预计2026年DRAM与NAND行业bit出货增长约20%。第一财季调整后营收136.4亿美元，同比增长57%，高于市场预期的129.5亿美元；非GAAP下摊薄后每股收益为4.78美元，高于市场预期的3.95美元。业绩主要受益于存储芯片供应趋紧、价格大幅上涨，以及人工智能数据中心需求迅猛增长。DRAM营收占比79%，ASP环比增长约20%；NAND营收占比20%，ASP环比增长约15%。截至该财季末库存为82亿美元，环比下降1.5亿美元，库存天数为126天，DRAM库存天数仍较为紧张。

行业展望与市场动态

美光预计2026年HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，市场规模将超过2024年整个DRAM市场规模。美光2026财年资本支出指引上调至约200亿美元，主要用于支持HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。预计2026Q1存储价格环比上涨，2026年全球智能手机及笔电出货预测或调降。TrendForce集邦下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，分别调降至年减2%及2.4%。

投资建议与风险提示

建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动。建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。风险提示包括贸易摩擦加剧、需求复苏不及预期、产能扩张不及预期、竞争加剧。