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电子行业周报:美光业绩持续改善,存储涨价控产趋势向好

电子设备2023-10-09童秋涛、方竞民生证券王***
电子行业周报:美光业绩持续改善,存储涨价控产趋势向好

美光业绩持续改善,存储周期向上拐点明朗。美光发布财报,公司于FY4Q23(财年)实现营收40.1亿美元,同比下降39.61%,环比增长6.93%,毛利率为-9%,营收超过预期中值(39亿)。 分产品结构看,Q4DRAM的Bit出货量环比增长十几个百分点,价格环比下降5%-10%;NAND的Bit出货量环比增长超过40%,价格环比下降15%左右。 产品的Bit出货量均实现环比逐步增长。 展望FY1Q24,公司指引预期营收42-46亿美元,毛利率为-2%到-6%,相比于FY4Q23营业情况预将持续好转。 库存持续去化,2024财年产能预将显著低于2022年水平。美光资本开支于2023财年Q1开始出现明显下降,目前资本开支规模为近5年最低点,但考虑将于爱达荷州和纽约州建设存储工厂,2024财年资本开支计划将同比小幅上升。不过产能方面,美光2024财年将进行结构性供应调整,更多将产能分配于HBM3E等工艺步骤更复杂的先进节点,将导致DRAM和NAND整体晶圆产能显著下降,并显著低于2022年水平。同时,公司持续推进库存去化,预计2024财年下半年库存水平整体达到目标库存。 AI服务器存储需求不断增长,PC、手机复苏拉动需求向上。美光预计2023年DRAM行业bit需求同比增长5%左右,NAND行业bit需求同比增长15%以上,2024年存储市场需求有望实现强劲增长。细分市场来看,服务器市场,2023年服务器总出货量将自2016年以来首次同比下降,AI服务器对HBM和大容量SSD产品需求旺盛,HBM3E产品将于2024年初开始生产并实现可观收入;PC市场,23Q4客户端LPDRAM位出货量增长迅速,232层SSD导入OEM客户并开始量产;手机方面,AI应用有望推动存储容量需求上升。 存储价格反转已现,周期回暖趋势清晰。我们统计了部分存储产品价格数据情况,目前DRAM和NAND的存储晶圆和模组产品均处于拐点向上阶段,其中如1Tb的Wafer晶圆合约价自底部(2.78美金)以来已上涨至3.53美金,涨幅达27%。我们认为随着原厂削减存储供给并转移产能至先进节点产品,下游需求逐步复苏,供需双重影响下,价格向上趋势将越发坚实。且近期从行业涨价动向来看,利好信息频传,预计Q4存储价格将进一步向上。如据Business Korea报道,三星计划在Q4将NAND芯片价格调涨10%以上,且最快自10月开始涨价。 投资建议:美光财报显示存储供需已逐渐好转,且近期高频价格显示存储价格已拐点向上,存储周期上行趋势明朗。当下手机、PC渐进复苏,需求扩容,且AI驱动存储技术升级、容量提升,我们看好存储行业投资机会。重点关注:1)存储模组:德明利、江波龙、万润科技等;2)设备材料封测:深科技、雅克科技、精智达等;3)利基型存储:兆易创新、东芯股份、普冉股份等 风险提示:下游市场复苏不及预期;存储原厂减产不及预期 重点公司盈利预测、估值与评级 1美光FY4Q23财报:业绩持续改善,供需逐渐好转 1.1业绩符合预期,盈利能力持续改善 2023年9月27日,美光发布财报,公司于FY4Q23(2023财年Q4,自然年为Q3)实现营收40.1亿美元,同比下降39.61%,环比增长6.93%,营收超过预期中值(39亿)。FY4Q23毛利率为-9%。 展望FY1Q24,公司指引预期营收42-46亿美元,毛利率范围为-2%到-6%,相比于FY4Q23营业情况预将持续好转。此外,美光预计2024财年的产品定价和盈利能力都将有所改善,至少到2024财年Q3毛利润将会转正。 图1:美光营收和净利润(时间按财年划分,百万美元) 图2:美光毛利率变化(时间按财年划分,%) 分业务部门来看,计算和网络业务部门营收12亿美元,环比下降14%,主要系客户持续调整库存以及CAC颁布的“美光在华禁售令”导致公司的数据中心收入疲软;移动业务部门营收12亿美元,环比增长48%,主要受产品季节性出货量影响;嵌入式业务部门营收8.6亿美元,环比下降6%,受汽车和工业市场均小幅下滑影响;存储业务部门营收7.39亿美元,环比增长18%,受益于产品组合出货量的增加。 按产品结构看,公司DRAM营收28亿美元(占总营收69%),环比增长3%,其中Bit出货量环比增长十几个百分点,价格环比下降5%-10%。本财年DRAM营收110亿美元(占总营收71%),同比下降51%。公司NAND营收12亿美元(占总营收30%),环比增长19%,其中Bit出货量环比增长超过40%,价格环比下降15%左右。本财年NAND营收42亿美元(占总营收27%),同比下降46%。 总体来看,DRAM和NAND产品的Bit出货量均实现环比逐步增长,体现下游的存储需求呈现逐步回暖。此外,在价格方面,DRAM产品价格的环比跌幅从Q3的10%收窄至Q4的5%-10%。 图3:美光季度业务组成(时间按财年划分,百万美元) 图4:美光产品营收结构(时间按财年划分) 美光亦更新了新品进展情况,其中DRAM方面,美光于2023年7月26日发布业界首款8层24GB HBM3 Gen2(即HBM3E)内存芯片,该产品采用1βDRAM工艺节点,其带宽超过1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比目前推出的HBM3解决方案性能提高50%。该款产品目前正在英伟达进行资格认证,并预计于2024年实现量产。此外,美光还率先推出1β工艺的DDR5和LPDDR5X产品,其中128GB的DDR5内存条模组产品已处于客户送样阶段,公司预计该产品将于24年Q2实现收入。 NAND方面,美光率先于数据中心、企业级和消费级市场推出232层NAND SSD产品,其中232层企业级NVMeSSD已通过大型OEM厂认证,进入量产阶段。 图5:美光的AI应用类存储产品路线图 1.2资本开支大幅削减,库存持续去化,产能预将显著低于2022年水平 从资本开支来看,根据彭博数据显示,美光资本开支于2023财年Q1开始出现明显下降,目前资本开支规模为近5年最低点。美光在Q4业绩说明会表示2024财年资本开支计划将较2023年有小幅上升,其中 WFE(晶圆制造设备)支出将继续同比下降, 建设资本支出将上升,用以支持在爱达荷州和纽约州建设存储工厂,该项资本支出同时假设2024财年将获得CHIPS(美国半导体生产激励基金)拨款资金, 封测资本支出将同比上升约一倍,用以满足HBM3E生产。 同时,美光Q4业绩说明会表示,2024财年库存周转天数将明显好转,预计2024财年下半年库存水平整体达到目标库存。 从供给来看,美光Q4业绩说明会表示,2024财年将进行结构性供应调整,更多地将产能分配于HBM3E等先进结点,并且由于先进节点工艺步骤更加复杂,产能调整将导致美光DRAM和NAND整体晶圆产能显著下降,并显著低于2022年水平。 图6:美光库存及资本开支(时间按财年划分,百万美元) 图7:海力士库存及资本开支(百万美元) 1.3AI服务器存储需求不断增长,PC、手机复苏拉动需求向上 总体来看,美光预计2023年DRAM行业bit需求同比增长5%左右,NAND行业bit需求同比增长15%以上。由于终端市场需求复苏,客户库存去化基本完成以及AI对存储容量需求的不断增加,2024年存储市场需求有望实现强劲增长。 细分市场来看: 数据中心方面,传统服务器需求依然低迷,AI服务器需求强劲。美光预计2023年全球服务器市场总出货量将自2016年以来首次同比下降,但会在2024年恢复增长。分产品来看,HBM3E产品将于2024年初开始生产,并实现可观收入,DDR5销量将于2024年初超过DDR4,数据中心SSD将继续维持当前领先的市场份额; PC方面,美光预计2023年全球PC市场规模将同比下降10%以上,2024年有望增长5%左右,分产品来看,Q4客户端LPDRAM需求旺盛,位出货量增长迅速,232层消费级SSD导入大型OEM客户并开始量产; 手机方面,与PC相似,但AI手机有望推动新一波NAND与LPDRAM的容量需求增长; 汽车和工业市场方面,受益于ADAS系统不断发展,车载存储容量需求不断上升,快速增长的智能化汽车市场有望极大促进车载存储市场发展。 2存储价格反转已现,周期回暖趋势清晰 我们统计了部分存储产品价格数据情况,根据价格情况显示,目前DRAM和NAND的存储晶圆和模组产品均处于拐点向上阶段。具体来看: 晶圆与颗粒价格方面:在原厂削减资本开支和降低稼动率等减产策略下,部分DDR4颗粒和Wafer晶圆现货价在经过长期的下降到达价格底部后,已于近期初步实现价格的回暖,其中1Tb的Wafer晶圆合约价自底部(2.78美金)以来已上涨至3.53美金,涨幅达27%。 存储器产品价格方面:美光等原厂将更多产能分配到先进节点产品,从而促使成熟存储产品的供需恢复平衡,因此部分DDR4内存条和SSD成熟产品的渠道价经历长期的跌价后,迎来价格回暖的转机,其中480GB SATA3SSD产品的渠道价也从14.5美金上涨到16.5美金,涨幅达14%。 我们认为随着原厂削减存储供给并转移产能至先进节点产品,下游需求逐步复苏,供需双重影响下,价格向上趋势将越发坚实。 图8:部分DDR4颗粒现货价(美元) 图9:部分Wafer晶圆现货价(美元) 图10:部分DDR4内存条渠道价(美元) 图11:部分SSD产品渠道价(美元) 且近期从行业涨价动向来看,利好信息频传,预计Q4存储价格将进一步向上。据Business Korea报道,三星电子计划在Q4将NAND芯片价格调涨10%以上,且最快自10月开始涨价。同时,业内认为DRAM及NAND的合约价有望在Q4看涨10%~15%。且据台湾经济日报报道,三星、铠侠、SK海力士等上游NAND Flash原厂开始拉高晶圆合约价,由于渠道及下游模组厂库存低于正常季节水准,引发终端抢货,消费性SSD、存储卡,手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬,目前平均涨幅约在个位数左右,四季度涨幅有望达双位数。 3投资建议 美光财报显示存储供需已逐渐好转,且近期高频价格显示存储价格已拐点向上,存储周期上行趋势明朗。当下手机、PC渐进复苏,需求扩容,且AI驱动存储技术升级、容量提升。我们强调存储作为强周期赛道,周期底部确立的当下,为绝佳布局时点。重点关注:1)存储模组:德明利、江波龙等;2)设备材料封测:深科技、雅克科技、精智达等;3)利基型存储:兆易创新、东芯股份、普冉股份等 表1:重点公司盈利预测、估值与评级 4风险提示 1)下游市场复苏不及预期:如果经济复苏情况不及预期,存储行业下游需求持续偏弱,可能对板块公司业绩造成不利影响。 2)存储原厂减产不及预期:存储原厂目前持续减产,如果后续减产力度小于预期,则供需失衡时间将维持较长时间,可能影响国内相关公司业绩预期。