电子行业动态点评：美扩大对华芯片及设备禁令，国产厂商砥砺前行

美国商务部公布算力芯片&半导体设备出口管制新规，13家公司列入实体清单。2023年10月17日，美国商务部发布对先进计算芯片、超级计算机和半导体制造设备的暂行最终规则，并将壁仞、摩尔线程等13家公司列入实体清单，对2022年10月7日版规则进行修订。 TPP和PD作为新限制标准，英伟达H800&L40S等出口受限。规则修订了ECCN 3A090的内容，取消“互联带宽”作为识别受限制芯片的参数，将TPP（总处理性能）和PD（性能密度）作为限制标准，芯片满足两个参数任一则出口受限。其中，3A090a规定TPP≥4800、TPP≥1600且PD≥5.92，3A090b规定2400≤TPP≤4800且1.6≤PD≤5.92、TPP≥1600且3.2≤PD≤5.92，受到出口管制的GPU包括但不限于英伟达A100、A800、H100、H800、L40、L40S、RTX4090以及DGX和HGX系列。 光刻机限制更加细化，或影响对ASML DUV1980Di采购。规则针对光刻机的限制细化，f.1.b.2.a条款和f.1.b.2.b条款规定光源波长≥193 nm的设备在DCO（指定载台叠对精度）≤ 1.5nm 或 1.5nm ≤DCO≤ 2.4nm 条件时受限，ASML DUV1980Di可以实现≤1.6 nm DCO全晶圆覆盖，以及≤2.5 MMO全晶圆覆盖。ASML表示1980Di原则上将受出口管制限制，但仅对少数晶圆厂禁止出口，可向绝大多数应用于次关键和成熟制程的中国大陆客户直接出口，无需许可。 半导体其他设备零部件环节亦有受控，国际巨头部分出货或受影响。除光刻设备外，规则对多项设备及其材料、零部件等提出更精确的限制，涉及外延设备、大束流高能离子注入设备、干/湿法刻蚀设备、多类工艺的薄膜沉积设备等，国际巨头AMAT、LRCX、KLA等部分出货或受影响。 算力芯片制裁利好自主可控，芯片厂商仍需砥砺前行。AI算力芯片制裁下，华为昇腾系列等自主芯片厂商相对受益，同时提升国内先进制程产线扩产预期，半导体设备、材料及零部件环节有望受益。 建议关注：芯原股份（IP龙头&AI算力芯片）、江波龙（存储模组）、拓荆科技（国产薄膜沉积设备龙头）、中微公司（国产刻蚀设备龙头）、盛美上海（国产清洗设备龙头）、北方华创（国产半导体工艺装备龙头）、沪硅产业（国产半导体硅片龙头）、江丰电子（国产溅射靶材龙头）、安集科技（国产抛光液龙头）、通富微电（先进封测龙头）等。 风险提示：国际贸易摩擦风险；行业竞争加剧风险；AI行业变革风险；供应链风险等。 1、事件概要 2023年10月17日，美国商务部发布对先进计算芯片、超级计算机和半导体制造设备的暂行最终规则。 图表1：美国商务部公布对算力芯片出口新规 美国商务部将壁仞、摩尔线程等13家公司列入实体清单。 图表2：美国商务部将13家公司列入实体清单 该规则对2022年10月7日版规则进行修订。 图表3：规则对2022年10月7日版规则进行修订 规则修订了ECCN 3A090的内容，取消了“互联带宽”作为识别受限制芯片的参数，将TPP（总处理性能）和PD（性能密度）作为限制标准，芯片满足两个参数任一则出口受限。其中，3A090a规定TPP≥4800、TPP≥1600且PD≥5.92，3A090b规定2400≤TPP≤4800且1.6≤PD≤5.92、TPP≥1600且3.2≤PD≤5.92。 图表4：规则限制了TPP和PD的参数范围 受到出口管制的GPU包括但不限于英伟达A100、A800、H100、H800、L40、L40S、RTX4090以及DGX和HGX系列。 图表5：英伟达部分GPU受到出口管制 规则针对光刻机的限制细化，f.1.b.2.a条款和f.1.b.2.b条款规定光源波长≥193 nm的设备在DCO（指定载台叠对精度）≤ 1.5nm 或 1.5nm ≤DCO≤ 2.4nm 条件时受限。 图表6：规则针对光刻机的限制细化 ASML DUV1980Di可以实现≤1.6 nm DCO全晶圆覆盖，以及≤2.5 MMO全晶圆覆盖。 图表7：ASML DUV1980Di参数 ASML表示1980Di原则上将受出口管制限制，但仅当用于先进半导体制造时，仅适用于少数应用。这意味着1980Di仅对少数晶圆厂禁止出口，但可向绝大多数应用于次关键和成熟制程的中国大陆客户直接出口，无需许可。 图表8：ASML部分出口或不受限 除光刻设备外，规则对多项设备及其材料、零部件等提出更精确的限制，涉及外延设备、大束流高能离子注入设备、干/湿法刻蚀设备、多类工艺的薄膜沉积设备等，国际巨头AMAT、LRCX、KLA等部分出货或受影响。 外延设备：限制生产除硅以外任何材料层的厚度在75毫米或以上的距离内均匀至小于±2.5%，并且限制具有部分清洗和温度功能，用于硅（Si）、碳掺杂硅、硅锗（SiGe）或碳掺杂SiGe外延生长的设备。 图表9：外延设备部分限制规定 离子注入设备：限制氢、氘或氦注入束能量≥20 keV和束电流≥10 mA、高能氧加热半导体材料“基底”束能量≥65 keV和束电流≥45 mA、半导体材料“衬底”的硅束能量≥20 keV和束电流≥10 mA或更高的600度。 图表10：离子注入设备部分限制规定 干法刻蚀设备：限制各向同性具有最大的硅锗对硅（SiGe：Si）大于或等于100：1的蚀刻选择性；或各向异性纵横比大于30：1，顶表面横向尺寸小于 100nm ，且限制了配套射频电源、切换阀门、静电卡盘等。 图表11：干法刻蚀设备部分限制规定 湿法刻蚀设备：限制硅锗对硅（SiGe：Si）蚀刻选择性大于或等于100：1。 图表12：湿法刻蚀设备部分限制规定 沉积设备：限制钴、钌、钨、氮化钛、碳化钨等各类金属化合物沉积工艺的设备，对原子层沉积（ALD）设备、化学蒸气沉积（CVD）设备的材料、温度、装置、介电常数等均做了明确限制。 图表13：沉积设备部分限制规定 2、投资建议 AI算力芯片制裁下，华为昇腾系列等自主芯片厂商相对受益，同时提升国内先进制程产线扩产预期，半导体设备、材料及零部件环节有望受益。 国产算力板块相关公司梳理：芯原股份、江波龙、通富微电、澜起科技、聚辰股份、高新发展、四川长虹、兴森科技、生益科技、深南电路、沪电股份、圣泉集团、长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子、晶方科技、伟测科技等； 半导体设备相关公司梳理：中微公司、拓荆科技、盛美上海、北方华创、芯源微、华海清科、精测电子、中科飞测、至纯科技、万业企业、微导纳米等； 半导体材料相关公司梳理：沪硅产业、江化微、晶瑞电材、华特气体、清益光电、路维光电、彤程新材、安集科技、江丰电子、鼎龙股份等； 半导体零部件相关公司梳理：新莱应材、正帆科技、汉钟精机、英杰电气、富创精密、茂来光学、华亚智能、苏大维格、昌红科技等。 风险提示 国际贸易摩擦风险。部分国内公司使用的主要生产设备和原材料有较大部分向境外供应商采购。未来不排除相关国家出口管制政策进行调整的可能，从而导致国内公司面临设备、原材料供应发生变动等风险，导致国内公司生产受到一定的限制，进而对国内公司的业务和经营产生不利影响。 行业竞争加剧风险。一些公司所处的行业属于知识密集型和资金密集型相结合的行业，进入壁垒较高，全球范围内只有少数厂商掌握相关技术并形成生产规模，市场集中度较高。部分公司业务的开展主要面临来自于国内外知名企业的市场竞争。需要进一步提升自身实力，以免行业竞争加剧。 AI行业变革风险。以AI为代表的新技术日新月异，更新迭代速度逐渐加快，新的业务形态和商业模式可能出现，对公司所处内容产业具有深远影响。公司如果不能始终保持技术水平行业领先并持续进步、开拓创新业务，市场竞争力可能会受到影响。对此，公司将充分发挥全球创作者生态、海量优质合规的内容数据以及内容交易变现场景等核心优势，对新技术、新趋势持续保持关注并积极付诸实践，通过加强研发创新紧跟行业技术变革，开拓创新业务以适应市场需求。 供应链风险。集成电路行业对原材料、零备件、软件和设备及服务支持等有较高要求，部分重要设备及服务支持等在全球范围内的合格供应商数量较少，且大多来自中国境外。 如果重要原材料、零备件、软件或者核心设备及服务支持等发生供应短缺、延迟交货、供应商所处的国家和/或地区与他国发生贸易摩擦、外交冲突、战争等进而影响到相应原材料、零备件、软件、设备及服务支持等的出口许可、供应或价格上涨，将可能会对生产经营及持续发展产生不利影响。