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2022年年报点评:业绩表现亮眼,新品持续放量

2023-04-20方竞 童秋涛 宋晓东民生证券劫***
2022年年报点评:业绩表现亮眼,新品持续放量

事件:4月19日,东微半导发布2022年年报,2022全年公司实现营收11.16亿元,同比增长42.74%;实现归母净利润2.84亿元,同比增长93.57%。 其中4Q22单季度公司实现营收3.26亿元,同比增长46.38%,环比增长0.76%; 实现归母净利润0.84亿元,同比增长55.77%,环比增长1.29%。 聚焦新能源等高景气赛道,业绩表现亮眼。公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道,充分受益于功率半导体结构性需求分化红利,2022年实现营收11.16亿元,同比增长42.74%;实现归母净利润2.84亿元,同比增长93.57%。公司2022年毛利率为33.96%,同比增加5.24pct。分产品看,2022年公司高压超级结MOSFET产品实现营业收入9.14亿元,同比增长60.77%;中低压屏蔽栅MOSFET产品实现营业收入1.56亿元;Tri-gateIGBT产品实现营业收入0.45亿元,同比增长685.21%;超级硅MOSFET产品实现营业收入204.29万元。 高压超级结MOSFET业务持续增长,多款TGBT产品批量供货。公司Si基器件业务进展顺利。MOSFET方面,2022年公司持续扩大高压超级结MOSFET在光伏逆变、储能应用、UPS领域的业务,成功替换IGBT并明显提升系统效率,出货呈迅速增加态势。其中,公司重点拓展新能源汽车及直流充电桩领域业务,高压超级结MOSFET及中低压SGTMOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子等公司。TGBT方面,2022年公司持续丰富TGBT产品规格,多款产品实现批量供货。其中E系列高速TGBT产品批量应用于60kHz电源系统,实现高速IGBT领域的国产替代;L系列TGBT实现极低的Vcesat,对国外超低Vcesat IGBT实现替代。此外,TGBT产品在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段;公司成功开发基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650V Hybrid-FET,出货量迅速增加。 SiC MOSFET开始小批量供货,市场前景广阔。报告期内,公司开发出SiC二极管及具有自主知识产权的SiC MOSFET,SiC器件首次实现营业收入。其中SiC MOSFET已通过客户的验证并开始小批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器、高效率电源等,可替代采用传统技术路线的SiC MOSFET,市场前景广阔。 投资建议:考虑到当前公司产品品类持续优化,新产品研发进展顺利,核心产品销量不断攀升,我们上调公司盈利预测,预计2023-2025年公司归母净利润为3.98/5.15/6.58亿元,同比增长39.8%/29.5%/27.8%,当前市值对应PE为36/28/22倍,维持“推荐”评级。 风险提示:新产品营收增长不及预期的风险;行业竞争加剧的风险;下游需求波动的风险。 盈利预测与财务指标项目/年度 公司财务报表数据预测汇总 利润表(百万元)营业总收入 资产负债表(百万元) 现金流量表(百万元)