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东吴电子国产算力 存储产能挤占推升涨价 国产存储替代正当时

2026-09-01 未知机构 生产-肖徐-审核报告小号
东吴电子国产算力 存储产能挤占推升涨价 国产存储替代正当时

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这份研报的核心内容是什么?

研报分析了国产算力存储行业的景气度与业绩展望,指出长兴存储Q2业绩超预期,营收达1500亿,净利润776亿,同比增长超200%;服务器内存业务占比将大幅提升,预计明年营收超预期;LPDDR6导入量产,巩固移动端客户地位。同时,其他原厂如三星、海力士、美光Q2业绩均超预期,价格和出货量持续上行,美光签下16份长协,覆盖约1/3出货量,锁定未来五年订单。报告还探讨了需求结构变化,服务器存储占比超手机,预计2026年存储需求量提升40%-50%;AI服务器需求增长将进一步提升增量;手机端存储需求逐渐复苏,国产替代趋势明显;PC端内存容量提升,单机存储容量达24GB/32GB/64GB。

国产存储替代的赛道发展趋势如何?

国产存储替代赛道发展趋势积极,报告指出国产存储厂商持续获取市场份额,从周期逻辑转向成长逻辑。AI趋势下,国产厂商生态升级,业绩预计接近翻番。HBM产业链分析显示,客户集中,需求高度相关,价格波动性低;产能高度集中于三星、海力士,主要供应英伟达等GPU厂商。当前价格约2.3美元/GB,HBM4价格预计近翻倍;国产GPU厂商积极导入国产HBM,国内厂商预计年底量产HBM3,明年扩产。需求结构变化方面,服务器存储占比超手机,预计2026年存储需求量提升40%-50%;AI服务器需求增长将进一步提升增量;手机端存储需求逐渐复苏,国产替代趋势明显;PC端内存容量提升,单机存储容量达24GB/32GB/64GB。

研报重点分析了哪些方向?

研报重点分析了行业景气度与业绩展望、HBM产业链分析、价格走势与渠道库存、研究结论与投资建议。在行业景气度方面,关注长兴存储等原厂标的业绩表现与业务占比提升;HBM产业链分析聚焦供需特点、价格趋势与国产替代进展;价格走势与渠道库存部分指出DRAM和NAND价格持续上涨,渠道库存整体偏紧,长协占比提升;研究结论强调国产替代加速,AI趋势下国产厂商生态升级,业绩预计接近翻番;投资建议关注长兴存储、赵毅、普雅、东兴等原厂标的,看好HBM价格与技术迭代,存储板块估值低,风险收益比可观。

当前存储市场的现状如何判断?

当前存储市场现状积极,供需特点显示客户集中,需求高度相关,价格波动性低,产能高度集中于三星、海力士,主要供应英伟达等GPU厂商。价格走势方面,DRAM和NAND价格持续上涨,Q2合约价2.2-2.3美元/GB,Q3预计上涨10%-15%,全年价格逐级上行;NAND价格涨幅强于DRAM,MLC、LC、SLC涨幅均超30%,Q3价格涨幅强于DRAM,海外原厂持续减产,供给端驱动价格稳健增长。渠道库存整体偏紧,海外原厂库存不到两周,国内模组厂积极签长协,长协占比提升,客户超定情况低于以往,行业周期更稳健。

研报中提示了哪些风险?

研报中提示的风险主要集中在国产替代进程的不确定性,虽然国产存储厂商持续获取市场份额,但生态建设和供应链稳定性仍需时间验证。HBM产业链方面,客户集中度高,若主要客户需求波动可能影响价格稳定性;价格趋势显示HBM4价格预计近翻倍,国产厂商导入进度若不及预期可能影响市场竞争力。此外,存储市场价格波动较大,虽然当前渠道库存偏紧,但若供需关系变化可能导致价格回调。AI服务器需求增长虽带来增量,但技术迭代快,国产厂商需持续提升产品性能和稳定性以应对市场竞争。