东吴电子陈海进 HBM系列研究 国产算力重要物料 涨价 紧缺双重催化

东吴电子陈海进HBM系列研究关注国产算力重要物料HBM的供应缺口和涨价趋势。报告指出，2026年上半年国内厂商HBM3获取难度增加，加速了国内HBM供应缺口，而HBM需求将随国产算力卡出货持续放量。当前国产HBM持续布局，预计2026年上半年有望看到国产HBM3量产，享受供需份额。同时，报告预测HBM明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，建议关注HBM量产与涨价双重节点。

HBM赛道发展趋势向好，国产化进程加速。作为国产算力芯片的重要物料，HBM需求与国产算力卡出货密切相关。当前国内厂商在HBM领域持续布局，预计2026年上半年国产HBM3将实现量产，推动国产化进程。同时，由于HBM产品偏定制，中间渠道环节少，此前涨价频率低，但报告预测明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，有望一次性补涨此前涨幅。

研报重点分析了HBM供应缺口扩大和价格上涨的双重催化因素。一方面，2026年上半年国内厂商HBM3获取难度增加，加速了国内HBM供应缺口；另一方面，HBM需求随国产算力卡出货持续放量，而国产HBM持续布局，预计2026年上半年有望量产。此外，报告还关注HBM明年大幅涨价的空间，建议关注量产与涨价双重节点。

当前HBM市场呈现供需缺口扩大和价格上涨的双重特征。国内厂商HBM3获取难度增加，加速了供应缺口，而HBM需求随国产算力卡出货持续放量。国产HBM持续布局，预计2026年上半年有望量产，推动国产化进程。同时，由于HBM产品偏定制，中间渠道环节少，此前涨价频率低，但报告预测明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，有望一次性补涨此前涨幅。

研报提示的行业风险包括行业竞争加剧和宏观经济波动导致需求不及预期。随着国产HBM持续布局和量产进程加速，行业竞争可能加剧，影响市场份额和盈利能力。此外，宏观经济波动可能导致下游算力需求不及预期，进而影响HBM需求，带来市场风险。投资者需关注这些风险因素，谨慎评估投资决策。