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电子行业点评报告：存储涨价持续兑现，原厂业绩验证景气上行

电子设备 2026-08-06 张良卫东吴证券车伟光

DRAM：二季度合约价集中补涨，现货强势延续至7月

二季度DRAM合约价集中补涨，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5均价环比分别上涨约57%、52%和67%，DDR5 16Gb合约价环比上涨约53%。
7月DDR5现货价格环比继续上涨约8%，为三季度合约价上行提供支撑。
AI服务器与HBM持续挤占先进DRAM产能，叠加客户提前锁定供应，支撑传统DRAM价格上涨。

NAND：产品端集中补涨，现货价格率先回落

二季度NAND合约价和产品价格完成集中补涨，1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨67%~69%，客户端SSD、eMMC及UFS价格涨幅更为显著，其中Client SSD 1TB、UFS512GB、eMMC 128GB二季度均价环比分别上涨83%、160%和135%。
与产品价格上涨形成对比，TLC和QLC现货价格自3月高点逐步回落，6月现货价格较3月下降约5%~8%。

二季度价格指引验证：多数产品涨幅达到或超出指引

多数产品实际涨幅达到或超出TrendForce/CFM二季度指引。
DRAM方面，PC DIMM 16GB环比上涨51.5%、服务器RDIMM64GB上涨56.7%，均高于预测；DDR5 16Gb合约价上涨53.2%，略低于TrendForce预测；移动端LPDDR5 64Gb上涨66.7%，低于预测。
NAND方面，Client SSD 1TB、UFS 512GB和eMMC 128GB涨幅分别达83%、160%和135%，均显著高于预测；TLC/QLC 1Tb合约价上涨40%~42%，低于Wafer口径指引。

三季度价格展望：外资行普遍高于产业机构

TrendForce预测三季度传统DRAM合约价环比上涨13%~18%，NAND合约价环比上涨10%~15%。
外资行预测普遍更为乐观：
- DRAM方面，高盛预测三星传统DRAM ASP环比上涨16%，美银预测全球DRAMASP上涨21%，Morgan Stanley预测DRAM价格上涨20%~30%，UBS预测DRAM合约价上涨32%。
- NAND方面，美银预测全球传统NAND ASP上涨15%，高盛预测三星NAND ASP上涨21%，UBS预测NAND价格上涨30%。

原厂季度业绩概览：长协锁定需求，景气持续验证

三星电子（2026Q2）：2Q26 DRAM Bit、NAND Bit出货量环比均增长个位数；公司指引3Q26 DRAM Bit出货量环比增长中个位数，NAND Bit出货量环比增长高个位数。
- 长协覆盖大部分产能：约60%~70%的总产能分配给长期供货协议，已与五大CSP签订5年期滚动长协，现有产能难以满足全部供货请求。
美光（FY2026Q3）：管理层称市场紧张"将锁定持续至2027日历年之后"，仅能满足50%~三分之二的客户需求。
- 已与数据中心运营商、汽车厂商等签署16份SCA，锁定3~5年销售，预计约一半或以上营收将纳入SCA，SCA对应约220亿美元现金存款。
- HBM4 12-high放量，迄今已贡献超10亿美元营收；下一代DRAM/NAND节点计划2027年量产。
- 预计2026年DRAM位元出货增速为low-twenties%，NAND约20%。
SK海力士（2026Q2）：HBM4在Q2提前实现批量出货，已与约10家核心客户锁定多年长协。
- 公司指引Q3DRAM产品Bit口径出货季度环比约+10%，NAND产品Bit口径出货季度环比提升低个位数。
凯侠（2026Q2）：26Q2 Bit出货量环比仅低个位数增长，收入增长几乎全部由价格驱动。
- 公司预计2026年NAND市场Bit需求增速为high-teens，自身出货增速与市场同步，2027年供给仍将偏紧。
- 坚持"价格与利润优先"，目标2028年长协（LTA）覆盖率达50%；第8代BiCS FLASH产量占比已超50%，北上工厂推进第10代量产。
- 财务与股东回报方面，26Q2末转为净现金1,867亿日元，股东权益比率由38%升至51%，宣布3拆1及上限8,000亿日元回购。
闪迪（FY26Q4）：营收89.7亿美元，环比+51%，价格上涨贡献约2/3，净利润69.0亿美元，环比+91%，同比扭亏。
- GAAP毛利率84.6%，环比+6.2pct，ASP上涨与高毛利数据中心产品占比提升共同推动。
- AI驱动数据中心营收29.8亿美元，环比+103%，同比+1298%；边缘业务54.3亿美元占比61%；消费类5.6亿美元环比-32%。
- FY27Q1营收指引103-108亿美元，Non-GAAP毛利率83%-85%，每股收益44-46美元；新批准140亿美元回购计划。