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这份研报主要分析了什么内容？
这份研报主要分析了光之必选InP反攻的斜率陡峭问题。报告指出预计2026-2028年InP缺口率分别为81%/65%/48%，全口径良率极低，EML和CW良率分别呈现极低水平。报告还预测了800G/1.6T/3.2T/CPO所需InP衬底在26-28年的CAGR分别为31%/156%/576%/1057%，显示高增长趋势。报告强调InP紧缺已超越DRAM/NAND，并推荐了相关产业链公司。
InP赛道的发展趋势如何？
InP赛道发展趋势向好，报告预测InP缺口率将持续扩大，预计2026-2028年分别为81%/65%/48%。随着800G/1.6T/3.2T等高速率接口的需求增长，InP衬底需求将迎来爆发式增长，26-28年CAGR高达31%-1057%。报告指出速率越高→功率越大→产出越少，全口径良率极低，显示行业供需矛盾突出。
研报重点分析了哪些方向？
研报重点分析了InP反攻的斜率陡峭问题，包括缺口率预测、良率分析、产业链需求预测和风险提示。报告详细预测了2026-2028年InP缺口率分别为81%/65%/48%，并分析了EML和CW等产品的良率极低问题。此外，报告还预测了800G/1.6T/3.2T/CPO所需InP衬底的需求增长，以及InP紧缺已超越DRAM/NAND的行业现状。
当前InP市场的现状如何？
当前InP市场呈现供需严重失衡状态，报告预测2026-2028年缺口率分别为81%/65%/48%，显示行业极度紧缺。全口径良率极低，EML和CW等产品的良率分别仅为2.3%/0.7%/0.1%和8.5%/6.1%/3.8%，进一步加剧供需矛盾。报告指出InP紧缺已超越DRAM/NAND，成为当前半导体行业最突出的问题之一。
研报有哪些风险提示？
研报提示InP行业面临的主要风险包括供需矛盾持续加剧、全口径良率极低、产业链产能扩张不及需求等。报告指出速率越高→功率越大→产出越少，导致InP产能难以满足高速率接口需求。此外，InP紧缺已超越DRAM/NAND，显示行业竞争激烈，相关公司可能面临经营压力。