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长鑫存储行业地位与市场前景
长鑫存储是中国最大、全球第四的DRAM存储厂商,2025Q4全球市占率为7.67%,未来上海基地有望进一步扩产。根据SEMI预测,全球DRAM市场将从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元(CAGR 30%),中国占比超25%,但自给率较低,替代空间充足。
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设备资本开支与国产化现状
每万片晶圆(28nm)设备资本开支达70亿元,核心环节包括光刻、刻蚀、薄膜沉积。其中,离子注入和量检测国产化率低于20%,刻蚀和薄膜沉积国产化率约30%。长鑫产线设备国产化率约20%,未来新建产线国产化率有望提升。
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国产设备供应商关注点
关注北方华创(平台型)、中微公司(刻蚀/沉积)、拓荆科技(沉积)、先导基电(离子注入)、中科飞测/精测电子(量检测)等国产设备供应商。