海外存储行业2026年7月跟踪：26Q3合约价涨幅放缓，高盈利韧性支撑长景气周期

市场景气度验证：海外存储行业2026年7月跟踪报告显示，26Q3 DRAM/NAND合约价格涨幅收窄，但部分规格现货价因行业库存备货周期有所波动，MLC NAND现货价延续双位数高增。6月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍，中国台湾主要存储原厂6月营收同比增长325.6%。
价格趋势预测：价格涨幅放缓并非周期见顶，市场定价重心有望从单季度价格弹性转向高盈利的多年持续性，预计涨价趋势有望延续至2027年。
供需格局分析：AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。供给纪律性仍然被市场低估，26-27年实际新增产能有限。传统消费终端对行业供需格局的边际影响下降，不会改变供需失衡和价格温和上行的趋势。

价格趋势：
- DRAM：合约价稳步上涨，DDR4 16Gb现货价下跌，DDR5合约价和现货价持续上涨。
- NAND：合约价小幅上涨，MLC NAND现货价涨幅领先，主要由于海外原厂退出/减产，三星、铠侠、美光正加速将有限产能转移至数据中心所需的高端存储芯片。
韩国半导体存储月度数据：2026年6月韩国存储出口额同比增长280.3%，5月韩国半导体产量/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/-7.28%。
中国台湾存储产业链月度营收：中国台湾主要存储产业链厂商6月营收延续高增，存储原厂及存储品牌/模组厂商营收同比增长3倍以上。
近期存储行业动态：
- 美光与Anthropic达成协议，锁定内存长期供应。
- 消费级DRAM紧缺延伸至DDR2，Q2/Q3合约价分别上涨55-60%和35-40%。
- 闪迪披露3D堆叠专利，揭示闪存算力一体化趋势。
- 三星HBM4E良率突破70%，下一代DRAM工艺预计11月量产认证。
- 韩国政府将在西南部投资约800万亿韩元合建四座芯片工厂，由三星、SK海力士承建。
- Meta与闪迪、三星、住友电工签订长期供货协议，锁定2027年算力翻倍。
- 三星计划2026年量产CXL 3.2内存，SK海力士推进新型AI推理内存架构。
- 美国启动特定DRAM设备337调查，三星电子、谷歌、英伟达等被列为被告。