2026年4月存储行业月度跟踪：现货价格短期扰动无碍周期韧性，Q2合约价延续高增

2026年4月存储行业月度跟踪 本报告导读： 海外科技《算力链全面超预期，AI景气持续上行》2026.04.19海外科技《模型商业化进度斜率向上，AI产业趋势再加速》2026.04.12海外科技《AI商业化进程加速，头部厂商加码token经济闭环》2026.04.05海外科技《AI驱动多点开花，终端生态与内容平台同步受益》2026.03.29海外科技《腾讯阿里财报彰显增长韧性，抢占AI时代流量新入口》2026.03.21 存储供需失衡持续支撑价格上行，TrendForce预计26Q2通用DRAM/NAND合约价分别上涨85-90%和70-75%。尽管现货市场价格出现局部波动，但在AI存力需求攀升、原厂产能倾斜、下游客户积极锁定长协供应的背景下，行业景气度维持韧性，存储板块核心交易逻辑正从价格上涨预期转向盈利增长持续性的兑现验证。 投资要点： 体产销量同比增长27%/33%。2026年3月韩国存储出口额281.7亿美元，同比增长219.5%，环比增长34.0%。其中DRAM出口额154.2亿美元，同比增长264.6%；NAND出口额25.4亿美元，同比增长382.3%。2月韩国半导体产量/销量/库存同比+27.11%/+33.18%/-8.32%，产销两旺，库存持续快速消耗。 中国台湾主要存储产业链厂商3月营收增幅进一步扩大。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商及品牌/模组厂商自25年12月以来月度营收维持同比翻倍增长，3月分别增长194.9%/216.0%/271.3%，增幅相比2月进一步扩大。南亚科表示DRAM供不应求预计延续至2027年上半年，华邦电表示2026年已有产能和新增产能已全部售罄，订单能见度看至2028年。投资建议：近期部分渠道市场DDR4/DDR5现货价格出现回调，我 们认为主要由于前期高价囤货的贸易商为加速资金流转而降价抛售库存，形成局部踩踏，不改变供需失衡背景下价格持续上行的趋势。当前原厂持续将产能向AI服务器相关产品倾斜，虽然部分消费类终端需求面临下修风险，但由于供给受产能分配制约，价格有望延续上行。我们认为当前时点仍处于本轮上行周期中段，主要存储厂商在2027年上半年之前的有效产能增量有限，各细分品类合约价涨幅仍有上修空间；叠加CSP通过长期协议锁定供应，原厂定价权进一步强化，为盈利增长提供坚实支撑，存储板块核心交易逻辑正从需求/价格上涨预期转向盈利增长持续性的兑现验证。建议关注受益于AI存力需求扩张、掌握定价权的龙头原厂美光、SK海力士、三星电子；受益于NAND供给短缺、价格涨幅维持强势的闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波 动风险；地缘政治风险；供应链风险。 请务必阅读正文之后的免责条款部分 目录 1.近期存储芯片价格趋势.........................................................................31.1.DRAM：合约价延续上涨，DDR4/DDR5现货价略有下滑................31.2.NAND：合约价、现货价涨幅强劲，延续双位数上涨......................41.3.DRAM/NAND合约价格预测...........................................................62.韩国半导体存储月度数据.....................................................................73.中国台湾省存储产业链月度营收...........................................................84.风险提示..............................................................................................9 1.近期存储芯片价格趋势 1.1.DRAM：合约价延续上涨，DDR4/DDR5现货价略有下滑 DDR3/DDR4合约价格：2月DDR3 4Gb合约价环比上涨10.0%，DDR44Gb/8Gb/16Gb合约价环比上涨9.1%/13.0%/13.5%。据DRAMexchange，截至2026年2月底，DDR3 4Gb合约价格为5.50美元，环比上月上涨10.0%；DDR4 4Gb合约价格为6.00美元，环比上月上涨9.1%；DDR4 8Gb合约价格为13.00美元，环比上月上升13.0%；DDR4 16Gb合约价格为29.50美元，环比上月上涨13.5%。 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年2月26日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年2月26日 DDR3/DDR4现货价格：截至4月20日，DDR3 4Gb现货价较3月底上 涨7.0%，DDR48Gb/16Gb现 货 价较3月 底下滑2.8%-9.8%。据DRAMexchange，截至2026年4月20日，DDR3 4Gb现货价格为8.08美元，相比3月底上涨7.0%，2026年以来上涨101.9%，较2025年2月的低点上涨9.6倍。DDR4(8Gb(1Gx8)和DDR4(8Gb(512Mx16)现货价格分别为33.00/24.23美元，较3月底下滑2.8%/6.8%，2026年以来上涨36.5%/28.9%。DDR4(16Gb(2Gx8)和DDR4(16Gb(1Gx16)现货价格分别为68.55/64.67美元，较3月底下滑7.7%/9.8%，2026年以来上涨6.3%/0.4%。 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月20日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月20日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月20日 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月20日 DDR5合约价格：3月DDR58Gb/16Gb合约价环比上涨2.4%。据inSpectrum Tech，3月DDR5 8Gb合约价格为8.06美元，环比上涨2.4%，2026年以来上涨134%；3月DDR5 16Gb合约价格为16.13美元，环比上涨2.4%，2026年以来上涨134%。 DDR5现货价格：4月初DDR5 24Gb现货价回升，DDR5 16Gb现货价下 滑5.5%。据inSpectrum Tech，截 至2026年4月3日 ，DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600 MHz)现货价格为31.38美元，相比上月下滑5.5%，2026年以来上涨18%；DDR5(24Gb(3Gx8),5600/6400 MHz)现货价格32.79美元，相比上月上涨0.7%，2026年以来下滑8%。 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月 资料来源：Bloomberg，inSpectrum Tech，国泰海通证券研究注：数据截至2026年4月3日 1.2.NAND：合约价、现货价涨幅强劲，延续双位数上涨 NAND合约价格：3月TLC/QLC NAND合约价环比上涨19%-31%。据Bloomberg援引鹰鼎科技数据，截至2026年3月，TCLNAND 256Gb合约价格为11.10美元，环比上月上涨19%，2026年以来上涨118%；TLCNAND 512Gb合约价格为22.20美元，环比上月上涨23%，2026年以来上涨131%；TLC NAND 1Tb合约价格为28.40美元，环比上月上涨31%，2026年以来上涨89%；QLC NAND 1Tb合约价格为25.56美元，环比上月上涨31%，2026年以来上涨89%。 NAND现货价格：3月TLC/QLC NAND现货价较上月上涨3%-17%，MLC NAND涨幅超40%。据Bloomberg援引鹰鼎科技数据，截至2026年3月，TLC NAND 256Gb现货价格11.14美元，相比2月上涨3%，2026年以来上涨40%；TLC NAND512Gb现货价格22.98美元，相比2月上涨15%，2026年以来上涨92%；TLC NAND 1Tb现货价格28.96美元，相比2月上涨16%，2026年以来上涨94%；QLC NAND 1Tb现货价格27.96美元，相比2月上涨17%，2026年以来上涨97%。据DRAMexchange，截至2026年3月，MLC NAND 32Gb现货价格为7.70美元，相比2月上涨40.5%，2026年以来上涨80.2%；MLC NAND 64Gb现货价格为16.50美元，相比2月上涨47.9%，2026年以来上涨86.5%。我们认为主因主要原厂退出或减产MLCNAND，据TrendForce预测，2026年全球MLC NAND Flash产能将年减41.7%，MLC NAND市场出现明显的追货、提前锁量现象。 资料来源：Bloomberg，鹰鼎科技，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月 资料来源：Bloomberg，鹰鼎科技，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月 资料来源：Bloomberg，鹰鼎科技，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月 资料来源：Wind，DRAM exchange，国泰海通证券研究注：数据截至2026年3月 1.3.DRAM/NAND合约价格预测 预计26Q2通用DRAM合约价格上涨58-63%。26Q2 AI服务器需求持续强劲，存储原厂加速将产能向HBM和服务器应用倾斜，并实施补涨策略缩小各产品价差。据TrendForce预测，26Q2通用DRAM合约价格有望上涨58-63%。其中PC DRAM因供应商主动削减OEM及模组厂的出货量，配额履行率较低的OEM厂商被迫从供应商或模组厂处以更高的价格采购，因此价格有望获得支撑。服务器DRAM受北美CSP加速部署AI推理需求拉动，供需结构持续紧张，供应商优先保障服务器DRAM出货并积极与核心客户谈判长期协议以支持产能扩张。智能手机DRAM方面，尽管部分手机品牌由于成本压力或于26Q2开始调整生产计划，但预计上半年整体需求缩减幅度有限，随着供应商与关键客户完成Q2定价并确定涨幅基准，通过追赶定价缩小不同应用的价格差距，移动DRAM价格预计较Q1持续上涨。消费级市场方面，2025年初以来内存价格持续上涨使部分产品的内存成本高于销售价格，导致采购需求有所放缓，但主要供应商逐步退出消费级DRAM细分市场导致供应短缺问题尚未缓解。 预计2026Q2 NAND Flash合约价格环比上涨70-75%。26Q2 AI算力投资持续升温，尽管NAND原厂通过制程升级、提升QLC占比扩大产出，但整体供给增量有限。据TrendForce预测，26Q2 NAND合约价格有望上涨70-75%。企业级SSD订单增长维持强势，预计2026年行业将有明显的供需缺口，有效新增产能在2027年末至2028年才能规模落地。为保障稳定供应，云厂商普遍愿意接受更高价格并签订长期供货协议，进一步强化了原厂的定价主导权。eMMC/UFS和企业级SSD在部分制程高度重叠，且利润率显著偏低，因此供需缺口在各细分品类中较突出，预计26Q2合约价格大幅上涨。客户端SSD方面，PC终端需求尚未回暖，但客户对价格继续上行的预期已形成，提前启动补库需求，供应商为最大化盈利，持续缩减客户端SSD供给，预计Q2维持价格涨势。 2.韩国半导体存储月度数据 2026年3月韩国存储出口额同比增长219.5%，