一、碳化硅：第三代半导体核心材料，全球格局加速重构
碳化硅（SiC）作为第三代化合物半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，适配高压、高温、高功率、高频应用场景，是支撑新能源革命与AI算力升级的底层核心材料。碳化硅器件产业链分为上游衬底与外延、中游器件与模块、下游应用三大环节，衬底占器件总制造成本的47%。据QYResearch数据，2025年全球碳化硅功率器件市场销售额达406.91亿元，预计2026-2032年CAGR为20.5%，2032年达1479.68亿元。全球市场由意法半导体、英飞凌等海外巨头主导，但国内企业在衬底制造、器件设计、模块封装等领域持续突破，国产化率提升，产业竞争格局加速重构。
二、发展动能研判：供需重塑抬升行业景气，多元需求与技术升级共拓长期空间
（一）供需格局边际反转，行业步入量价齐升上行周期
经历2025年市场出清，碳化硅行业供需格局实质性改善。2025年6英寸衬底均价从年初4000-4500元/片回落至2000元/片附近，2026年4月以来反弹至2000元/片以上；8英寸产品止跌企稳并小幅上涨。英飞凌、意法半导体等海外厂商发布年内第二轮调价通知，国内厂商同步跟进。供给端，中小产能出清，头部企业产能利用率超90%，部分高端规格产品供给偏紧。需求端，传统赛道需求稳步增长，新兴场景放量，订单能见度提升，部分产品交付周期拉长，行业进入价涨量增的景气上行阶段。
（二）AI算力打开成长新空间，需求结构从单核迈向多核
新能源仍是行业压舱石，碳化硅功率器件逐步向中低端市场渗透，光伏储能、充电桩、轨交等领域需求扩容。AI数据中心成为重要增长极，大模型算力需求升级推动AI芯片功耗攀升，机柜功率密度向兆瓦级演进，800V高压直流供电架构成为共识，碳化硅是支撑该架构的关键器件。此外，碳化硅应用版图延伸至AI眼镜光波导、先进封装等新兴领域。
（三）大尺寸迭代驱动降本增效，国内头部厂商话语权持续提升
衬底尺寸升级是降本增效和扩大应用的核心方向，6英寸导电型衬底仍是主流，8英寸成为竞争主战场，12英寸代表下一代技术方向。国内厂商在8英寸衬底规模化量产方面实现跨越式突破，形成完整技术生态，并率先推进12英寸技术攻关。大尺寸升级将推动衬底成本中枢下移，加速多场景替代渗透，抬高行业壁垒，推动产能出清与份额向头部集中，国内领先厂商的全球产业话语权将稳步提升。
三、投资建议
建议关注士兰微、新洁能、天岳先进等优质标的。当前行业处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。
风险提示：技术迭代不及预期，国产替代进度不及预期，下游需求波动，供给超预期释放，原材料价格波动。
