核心观点与关键数据
- 技术路径分化趋势清晰,CW激光器成为硅光架构重要配置:数据中心光互联技术路径分化趋势清晰,硅光架构成为主流技术路径,CW激光器芯片作为外部激光源支持其高集成度。
- 激光器芯片市场增速陡峭,2030年市场或将超过200亿美元:全球光互联市场规模将攀升,激光器芯片市场规模将从2024年的26亿美元增长至2030年的229亿美元,年复合增长率为44.1%。
- CW激光器芯片功能定位:大功率分路供能,实现降本及简化封装:相比EML芯片,CW激光芯片专注于稳定光生成,无需集成调制器,设计难度降低,且实现降本及简化封装。
- CW激光器设计:材料特性与波导结构是性能优化的关键:InGaAlAs和InGaAsP是两种主流有源区材料,光波导结构设计同样影响激光器性能,掩埋型异质结(BH)和脊型波导(RWG)是业内两种主流的波导结构设计。
- 激光芯片制造价值链:外延生长与光栅工艺具有技术壁垒及产能瓶颈:激光器芯片企业主要采用IDM垂直整合制造模式,外延生长和光栅工艺是激光器芯片设计及制造的核心工艺,具有技术壁垒及产能瓶颈。
- 国内外企业同步研发高功率CW激光器芯片,不存在代际差距:中国光芯片产业加速发展,国内外企业同步研发150mW、300mW及400mW型号在内的高功率CW激光器芯片,双方产品不存在代际差距。
研究结论
- 国内外企业最新CW激光器产品不存在代际差距,国产替代将重构全球光芯片产业格局。
- 国内光芯片企业有望受益于光互联市场总量增长、硅光架构CW激光器结构性机会、国产份额提升三重机遇。
- 看好光互联激光芯片产业方向,相关标的包括光模块、CPO/NPO:中际旭创、新易盛、天孚通信、东山精密、华工科技、光迅科技;光芯片:源杰科技、东山精密、仕佳光子、长光华芯、永鼎股份、兆驰股份、威腾电气。
风险提示
- 光互联产品硅光渗透率提升缓慢。
- 高端CW激光器产品量产困难。
- 地缘政治与贸易管制风险。