业绩总览
- FY2026Q1营收136.43亿美元，环比增长20.6%，同比增长56.7%，高于指引中值（125亿美元）。
- 公司总营收、DRAM和NAND营收、HBM和数据中心营收以及各业务部门营收均创纪录。
- DRAM和NAND营收创纪录主要得益于终端市场强劲需求、行业供应紧张、有效定价策略和产品组合优化。
- FY2026Q1 Non-gaap毛利率为56.8%，环比增长11.1个百分点，同比增长17.3个百分点，超过指引区间上限（51.5%上下浮动100个基点）。
供给能力提升举措
- 公司FY26资本支出计划提升至200亿美元，较此前预估增加20亿美元，重点投向HBM与1γ产品的供应能力建设。
- 通过加快设备订单下达与安装进度，最大化现有产能产出效率，并优化全球制造基地布局，为长期需求增长提供支撑。
- 美国供应计划获得客户积极反馈，爱达荷州首座晶圆厂建设进度提前，预计2027年中期实现首片晶圆产出。
- 全球产能布局多点推进，包括美国爱达荷州第二座晶圆厂（2026年开工、2028年底运营）、纽约州首座晶圆厂（2026年初动工），以及海外市场日本广岛工厂、新加坡HBM先进封装工厂（2027年量产）和印度组装测试工厂（2026年量产）。
全年需求展望
- 行业供需格局呈现紧张态势，AI数据中心建设推动内存与存储需求急剧增长，预计行业总供给难以匹配需求增长节奏。
- HBM需求的爆发式增长加剧供应压力，与DDR5高达3:1的交换比例进一步放大供需缺口。
- 全球洁净室建设交付周期延长，新增产能释放受限，DRAM和NAND市场供应紧张局面预计将延续至2026年及以后。
- 行业需求增长预期持续上调，预计2025年DRAM位元需求增长率将达到20%出头，NAND闪存位元需求增长率将达近20%。
- 预计2026年行业DRAM和NAND位元出货量均较2025年增长约20%，但仍难以全面满足客户需求，供需缺口下行业景气度有望维持高位。
营收拆分
- 按产品营收拆分：DRAM实现营收108亿美元（同比增长69%），NAND实现营收27亿美元（同比增长22%）。
- 按业务部门营收拆分：云内存业务部（CMBU）营收53亿美元（同比增长16%），核心数据中心业务部（CDBU）营收24亿美元（同比增长51%），移动和客户端业务部（MCBU）营收43亿美元（同比增长13%），汽车和嵌入式业务部（AEBU）收入17亿美元（同比增长20%）。
- 按终端市场营收拆分：
- 数据中心市场：FY2026Q1数据中心业务部门营收24亿美元，占公司总营收的17%。HBM、LPDRAM和NAND SSDs产品表现突出。
- PC市场：预计2025年PC市场出货量以高个位数百分比的速度增长，公司积极布局PC相关内存产品，已完成多项OEM认证。
- 手机市场：预计2025年智能手机出货量仍保持在低个位数百分比的增长，AI推动内存容量需求提升，旗舰机型12GB DRAM配置占比达59%。
- 汽车&工业等：汽车领域L2+和L3级技术普及推动存储需求，全自动驾驶汽车内存容量提升预期明确；工业领域自主系统普及带动需求持续增长。
公司业绩指引
- FY26Q2营收：预计187亿美元（环比增长37.1%，同比增长132.2%），上下浮动4亿美元。
- FY26Q2毛利率：预计68.0%左右（环比增长11.2个百分点，同比增长30.1个百分点），上下浮动100个基点。
- FY26Q2运营支出：预计约为13.8亿美元，环比增长主要源于支持新DRAM和NAND技术节点的研发支出增加。
- FY26Q2每股收益：预计8.42美元，上下浮动0.20美元，得益于营收增长、毛利率提升及运营效率优化。
Q&A环节
- 公司正在与多家核心客户洽谈多年期合同，涉及DRAM和NAND产品，合同结构更严谨，具有明确的承诺。
- 公司2026财年资本支出增加，很大一部分用于DRAM业务，特别是HBM和1-Gamma节点的产能爬坡。
- 公司在洁净室建设方面保持审慎，短期内没有解决方案，但正在迅速采取行动，尽力满足客户供应需求。
- 公司成本控制出色，新晶圆厂的建设和网络扩张将带来一些启动成本，但影响相对较小。
- 公司预计2026年HBM业务将实现强劲的同比增长，HBM4产品具有行业领先的性能和产能优势。
- 公司预计将通过强大的SSD产品路线图、深入的客户合作以及卓越的品质，继续扩大市场份额。
- 公司将继续优化HBM和非HBM产品的组合比例，同时专注于增加供应，以更好地满足客户需求。
- 公司已与客户完成了2026日历年的销量和定价谈判，HBM业务具有强劲的盈利能力。
- 公司认为供应环境将非常紧张，供需缺口巨大，人工智能正全面推动内存容量需求的增长。
风险提示
- 技术研发不及预期；扩产不及预期；下游需求不及预期。
