SK海力士FY2025Q2业绩点评及业绩说明会纪要
业绩总览
- 营收：22.23万亿韩元，同比增长35%，环比增长26%，超出市场预期（20.48万亿韩元），创历史新高。
- 毛利率：54%，同比提升8个百分点，环比下降3个百分点。
- 净利润：7万亿韩元，同比增长70%，环比下降14%；净利率为31%，同比提升6个百分点。
终端市场需求
- 整体需求：上半年需求强劲增长，价格环境有利，客户库存水平稳定，下半年需求大幅回调的可能性较低。
- PC/智能手机：AI应用普及加速换机潮，单机内存容量需求提升，需支持AI功能。
- 服务器：科技大型公司投资加速，通用服务器因换机周期和新CPU采用而需求增长；具备自主推理能力的AI代理推动高性能、高密度内存（如HBM）需求激增；政府与企业AI投资将成为新增长点。
- NAND：市场尚未出现人工智能驱动的需求显著增长，但功耗因素在人工智能服务器中变得越来越重要，预计节能SSD解决方案的采用在不久的将来会扩大。
技术与产品亮点
- HBM：维持销售额同比翻倍目标，已交付全球首款HBM4样品，协同合作伙伴推进性能优化。
- DRAM：扩大终端需求增长型产品销售，包括超8000Mbps高速DDR5内存、128GB+高密度服务器模组、旗舰智能手机专用LPDDR5X、主要针对中国市场的LPDDR4X；计划2025年内启动LPDDR服务器模组供应，并完成24Gb GDDR7量产准备。
- NAND：审慎投资策略，注重盈利；扩大采用QLC的高容量企业级SSD销售；计划2025年内开发321层NAND消费级固态硬盘（cSSD）及下一代eSSD。
资本开支（CAPEX）
- M15X工厂：预计Q4按计划开放，从2026年开始生产包含HBM在内的DRAM产品。
- 龙仁工厂一期：预计2027年Q2完工。
- 资本支出：2025年预计高于之前指引水平，以确保为2026年的HBM客户提供支持。
公司业绩指引
- 25Q3 DRAM位元出货：环比中低个位数增长。
- 25Q3 NAND位元出货：环比增长有限。
风险提示
- 技术研发不及预期
- 扩产不及预期
- 下游需求不及预期
- 贸易摩擦
Q&A环节要点
- HBM需求：人工智能市场快速增长，HBM需求潜力巨大，公司预计HBM将持续增长。
- HBM供应：与主要客户的谈判按计划进行，公司将为满足客户需求做好供应扩张准备。
- 需求不确定性：二季度出货量超预期主要得益于市场需求旺盛，客户库存增加有限，下半年需求大幅回调的可能性较低。
- 中国业务：终端用户资质未受影响，公司将继续推进中国晶圆厂的运营，并确保供应链畅通。
- NAND出货量增长：企业级固态硬盘需求增长，中国地区移动设备堆栈构建需求增长推动增长。
- HBM4成本：公司正努力将成本增加反映在定价策略中，通过最优定价保持盈利水平。
- DDR4需求：近期价格飙升是短期供应担忧，公司正处于从DDR4向DDR5过渡的阶段，未来计划逐步淘汰DDR4产品。
- 投资增加：新增资金主要用于与HBM相关的设备采购，以确保及时响应客户需求。
- 新晶圆厂产能：M15X计划于2025年Q4投产，并将于2026年启动全面量产；1CNanoDRAM的产能提升计划预计从2025年下半年开始。
- NAND市场：当前增长放缓，但AI发展趋势将推动未来需求增长。
- 下一代DRAM：公司正在研发基于架构创新、材料突破和元件革新的垂直栅极平台，并探索3DDRAM技术在10纳米以下节点的应用。
- HBM竞争：公司将继续为AI生态提供定制化的HBM解决方案，并保持在PIM等新型AI存储产品上的领先优势。
