电子行业周观点：内存涨价超预期，AI存力持续升温

周观点：内存涨价超预期，AI存力持续升温

三星和SK海力士上调内存价格，现货市场加价趋势明显

• 三星和SK海力士将DRAM和NAND闪存价格上调30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升HBM盈利能力。
• 两大原厂生产重心在HBM，通用DRAM产能逐步下降，短期内难以扩大生产。
• 预计到2030年，HBM市场规模将增长两倍，达到1000亿美元，HBM4（第六代）价格比HBM3E高出60%。
• DRAM和NAND闪存价格上涨预计将持续到2026年。
• 多家电子公司为应对DRAM短缺，与三星和SK海力士签订2-3年长期供应协议。
• SK海力士成功量产HBM4，对明年存储器市场持乐观态度，预计明年HBM需求大幅增长。

内存现货市场加价趋势明显，晶圆价格普遍上涨

• DRAM现货市场交易势头持续增强，DDR5芯片单日最高现货价格达16.50美元，Session平均现货价格为12.62美元，Session涨幅高达6.30%。
• NAND闪存现货市场涨势猛烈，1Tb QLC涨8.33%至6.50美元，1Tb TLC涨7.46%至7.20美元，512Gb TLC价格上涨最为明显，涨14.29%至4.80美元。
• 预计2025年第四季度价格仍有上涨空间。

内存涨价传导至下游，苹果下单1300万颗LPDDR5X

• 板卡厂商受DRAM缺货和CPU供应缺口影响，供货紧张，第四季度市场前景面临不确定性。
• 手机厂商存储成本上涨已传导至新品定价，预计四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等产品全面涨价。
• 小米部分主流产品采取限时优惠，REDMI K90标准版12GB+512GB首销月直降300元。
• 苹果为2026年iPhone 18系列提前布局，向三星电子预购约1300万颗10nm LPDDR5X芯片。

长鑫存储发布LPDDR5X，将推出业内最薄封装

• 长鑫存储已正式推出LPDDR5X系列产品，并正在研发厚度仅为0.58mm的LPDDR5X产品。
• 长鑫存储展示的LPDDR5X产品系列包括12GB、16GB、24GB、32GB容量，速率从8533Mbps到10677Mbps。
• 长鑫存储的uPoP封装技术帮助国内手机厂商实现闪存和内存的分开生产及组装，推动高性能低功耗解决方案落地。

谷歌与Anthropic数百亿美元算力合作，AI基建规模扩大趋势延续

• 谷歌将向Anthropic提供至多100万块专用AI芯片TPU以及附加的谷歌云服务，交易价值数百亿美元。
• 本次交易的TPU计划于2026年部署完成，将为数字基础设施带来超1吉瓦的算力承载。
• Anthropic已与谷歌、亚马逊与英伟达三大芯片提供商达成合作。

Vertiv&安费诺25Q3业绩均超预期，Q4指引强劲

• Vertiv 2025Q3实现营收26.76亿美元，yoy+29.0%，qoq+1.4%；调整后营业利润5.96亿美元，yoy+42.9%，qoq+21.9%。
• 第三季度末积压订单额高达95亿美元，较去年同期增长22亿美元。
• 展望25Q4，Vertiv预计营收在28.10至28.90亿美元之间，中值yoy+21.5%，qoq+6.5%。
• 上调2025全年各项核心财务指标预期，预计全年营收102.0亿美元，中值yoy+27.3%。
• Vertiv与NVIDIA开展合作开发800 VDC平台，为千兆瓦级AI工厂提供供电与散热解决方案。
• 安费诺25Q3实现营收61.94亿美元，同比增长53%，环比增长10%；订单额达61.11亿美元，创历史新高。
• 安费诺积极推进多项战略收购，强化在高端互联与传感领域的布局。
• 展望25Q4，安费诺预计营收将达到60亿至61亿美元，同比增长39%至41%。
• IT通讯数据市场受益于人工智能革命的独特机遇，营收预计保持增长态势。

相关标的

• 存储模组：香农芯创、江波龙、开普云（金泰克）、佰维存储。
• 存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、普冉股份。
• 海外AI：胜宏科技、东山精密、工业富联、沪电股份、生益科技等。
• 半导体设备：中微公司、北方华创、拓荆科技、百傲化学（芯慧联）、华海清科、芯源微、中科飞测、芯碁微装、盛美上海。
• 半导体材料：雅克科技、鼎龙股份、彤程新材、安集科技、兴森科技、天承科技、联瑞新材、兴福电子、德邦科技、华海诚科。
• 封测：长电科技、通富微电、甬矽电子、汇成股份。

风险提示

• 下游需求不及预期。
• 研发进展不及预期。
• 地缘政治风险。