AI 引爆存储‘超级周期’，行业高景气有望持续

核心观点

全球存储半导体行业正进入预计持续数年的“超级周期”，由人工智能浪潮和传统数据中心换代共同驱动。需求端以HBM为代表的高端需求爆发，叠加服务器更新换代和eSSD替代HDD的周期性需求；供给端则因库存降至历史低位、产能向HBM倾斜导致标准DRAM和NAND闪存供应趋紧，供需失衡推动价格全面上涨。

关键数据

• 需求端：HBM需求呈指数级增长，服务器更新换代释放标准DRAM和企业级SSD需求，eSSD加速替代HDD，QLC SSD预计2026年爆发式增长。
• 供给端：DRAM库存降至3.3周历史低点，产能向HBM转移导致标准DRAM产量下降，厂商投资谨慎扩产周期长。
• 价格趋势：存储产品价格进入上涨通道，闪迪、美光、三星等多家厂商宣布涨价，预计2025年Q3和Q4通用型DRAM价格季增幅分别为10%-15%和8%-13%，NAND Flash价格季增幅分别为3%-8%和5%-10%。

研究结论

本轮存储芯片上涨行情由AI算力基建、HBM技术升级、产能战略转移等结构性需求驱动，而非简单的周期性补库存。行业繁荣期有望持续两年以上，供需紧张局面预计在中期内延续。建议重点关注技术领先、产能布局完善且与AI产业链深度绑定的头部企业。

投资建议

• 美光科技（MU.O）：全面受益于AI驱动存储周期，业务覆盖所有关键领域，享受全品类价格上涨红利，HBM3e量产及DDR5渗透率提升将显著提升盈利能力。
• 西部数据（WDC.O）：子公司闪迪发起涨价潮，HDD市场占据主导地位，AI工作负载和云基础设施扩张推动高容量近线硬盘和QLC SSD需求激增，产品组合向高利润率转型有望提升毛利率。

风险提示

AI技术和应用落地速度放缓、产能扩张超预期、全球宏观经济超预期下滑、地缘政治风险。