深硅刻蚀受益HBM持续扩产

2.5D和3D封装技术作为突破集成电路发展制程瓶颈的关键，TSV（硅通孔）关键工艺拉动二十余种设备发展。近年人工智能迅猛发展，2.5D和3D封装技术革新了芯片互联方式，成为突破集成电路发展制程瓶颈的关键。3D IC封装如HBM（高带宽内存）和2.5D封装技术如CoWoS被广泛应用并加速发展，拉动集成电路装备产业高质量发展。TSV技术作为先进互联方式，在HBM和CoWoS中起着至关重要的作用，就TSV制造流程而言，以2.5Dinterposer为例，其制造流程可以分为三大部分：TSV process-Via last or Via middle（TSV孔的制造）、Front side process-Dual Damascene process（正面制程-大马士革工艺）以及Backside process-Cu Expose&RDL process（背面制程-露铜刻蚀和再布线层制程）。 每个部分具体环节对应不同设备及不同指标。TSV生产流程涉及到深孔刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及电镀、清洗、减薄、键合等二十余种设备，其中深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、清洗、CMP去除多余的金属、晶圆减薄、晶圆键合等工序涉及的设备最为关键。随着2.5D和3D封装技术的应用，TSV作为关键工艺将拉动集成电路装备产业高质量发展。 公司先进封装领域用刻蚀+薄膜+炉管+清洗全面布局，静待国内2.5D和3D封装技术大放异彩。公司深耕集成电路装备产业二十余载，可为先进封装领域客户提供TSV制造、正面制程-大马士革工艺、背面制程-露铜刻蚀和RDL工艺的全面解决方案，涉及刻蚀、薄膜、炉管、清洗四大类二十余款装备工艺解决方案： 1）刻蚀：PSE V300设备在TSV工艺中采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式，在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损伤，刻蚀均匀性、选择比更佳；采用每腔单片设计，具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现；通过优化机台晶圆边缘保护装置，提高产品良率；在2.5D工艺中，公司提供可满足BVR（背面通孔暴露）和BFR（背面平整暴露）不同工艺需求的刻蚀工艺解决方案；HSE D300设备在Plasma Dicing（等离子体切割）工艺中针对小芯片制造具有高刻蚀速率和高深宽比能力优势，具有多种UV膜的冷却方式，保证UV膜的延展性，实现高质量的芯片切割；BMD P300设备作为封装领域Descum（去残胶）的主力产品，在Bumping（凸点工艺）、Fan out（扇出封装）、2.5D&3D应用中的残留光刻胶去除、残余金属去除、表面活化等工艺方面，为客户提供Descum解决方案。 2）薄膜：公司采用PEALD（等离子体增强原子层沉积）方式沉积二氧化硅保护层，可实现更好的侧壁形貌和底层覆盖率；在TSV Barrier/Seed Deposition（阻挡层/种子层沉积）工艺中采用PVD（物理气相沉积）设备解决方案，能满足金属扩散阻挡层/种子层的膜厚、均匀性、粘附性要求，防止金属扩散，确保器件电学性能、结构完整性和工艺兼容性。 3）炉管：公司设备在TSV工艺的退火环节中通过出色的温度控制能力和工艺表现，实现铜的晶粒分布更加均匀，降低电阻率，提高TSV的制造质量和性能。 4）清洗：公司设备在TSV工艺中可实现水溶性化学物质的结合，有效去除侧壁聚合物，确保深孔内壁清洁；在2.5D工艺中可降低铜的腐蚀率，提高化学品应用效率，实现更高的经济效益。 投资建议 我们预计公司2024/2025/2026年分别实现收入302/403/539亿元，实现归母净利润分别为54/76/106亿元，当前股价对应2024-2026年PE分别为31倍、22倍、16倍，维持“买入”评级。 风险提示 外部环境不确定性风险；技术迭代风险；人力资源风险；下游扩产不及预期风险。 盈利预测和财务指标 财务报表和主要财务比率 利润表 资产负债表 现金流量表