西部半导体利基存储功率持续验证涨价逻辑关注低位布局机会56月

我们1月开始提示涨价机会：捷捷微电发布《》，1月15日起TrenchMOS涨价5~10% ；此前，扬州晶新微电子、四川蓝彩电子、深圳三联盛、深圳深微半导体先后发布调价沟通函，24年1月起部分产品或全系列产品涨价。 目前中低压先行涨价，高压产品随库存去化、【西部半导体】利基存储、功率持续验证涨价逻辑，关注低位布局机会5-6月行业普涨5~10%，华润微、扬杰科技预计中低压MOS等将谈价或涨价。 我们1月开始提示涨价机会：捷捷微电发布《》，1月15日起TrenchMOS涨价5~10% ；此前，扬州晶新微电子、四川蓝彩电子、深圳三联盛、深圳深微半导体先后发布调价沟通函，24年1月起部分产品或全系列产品涨价。 目前中低压先行涨价，高压产品随库存去化、需求恢复有望跟随上涨。24Q1利基DRAM、SLCNAND涨价，4~5月华邦电、旺宏等台厂抬涨NOR价格5~ 7%，预计大陆厂商Q2~Q3跟随涨价。 展望后市，随三星、海力士等大厂退出利基DDR3，供需缺口带来持续涨价动力；因替代大容量NOR加速，SLCNAND迎来需求、价格复苏；端侧AI渗透为NOR带来增量需求，涨势或将持续 全年。 建议关注：兆易创新、普冉股份、扬杰科技、新洁能等