国内存储、逻辑产线资本开支高峰将至，坚定看好半导体设备需求

国内存储、逻辑产线资本开支高峰将至，坚定看好半导体设备需求！ NAND：YMTC232层3DNAND扩产确定性强规模大，每万片capex约13-15亿美金。 目前全球3DNAND月产能200万-300万片，国内的月产能占比5%以下，国内存储大厂需要持续扩产提升份额才能在全球存储市场拥有成本优势和议价权。 同时，3DNAND对光刻设备精度要求弱于先进逻辑产 国内存储、逻辑产线资本开支高峰将至，坚定看好半导体设备需求！ NAND：YMTC232层3DNAND扩产确定性强规模大，每万片capex约13-15亿美金。 目前全球3DNAND月产能200万-300万片，国内的月产能占比5%以下，国内存储大厂需要持续扩产提升份额才能在全球存储市场拥有成本优势和议价权。 同时，3DNAND对光刻设备精度要求弱于先进逻辑产线和高端DRAM，后续持续扩产逻辑强。 DRAM：2023年11月28日，长鑫存储官网公告LPDDR5DRAM，单颗容量12Gb、速率6400Mbps，功耗降低30%，通过8颗 LPDDR5层叠封装存储容量可达12GB。 手机DRAM国产化需求下长鑫存储高端DRAM产线CAPEX有望加大。 16纳米产线capex约为12亿美金/万片/月，相比19纳米capex提升30%以上。先进逻辑：H回归，FINFET产能紧缺，扩产确定性较高。 14nm先进逻辑产线每万片/月设备capex16亿美金，7nm先进逻辑产线每万片/月设备capex提升至30亿美金。其中，刻蚀、PVD、外延等设备需求量更高。