存储板块追踪十三：DDR5模组合约价首次上涨，NAND合约价连续环平，海外存储厂商Q2营收环增、低点已过

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存储板块追踪报告：

近期，存储板块受关注程度持续上升，主要原因在于DRAM和NAND半导体芯片的价格变动。以下是关于DRAM和NAND价格追踪的报告正文：

一、DRAM价格追踪：

在DRAM方面，主流产品为DDR4，占比90%以上。DRAM不断迭代，目前已经迭代至DDR5。DRAM细分产品包括SynchronousDRAM（SDRAM）和SpareDRAM（SDRAM）。根据DRAMeXchange的划分，SpareDRAM包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒。目前，大陆地区在DRAM领域发展较快，重点关注利基DRAM。

二、NAND价格追踪：

近期，NAND半导体芯片的价格出现波动。NAND市场中，大陆地区发力较快，重点关注兆易创新和北京君正。兆易创新在2021年已经发布17nm2Gb/4GbDDR4和16nm2Gb/4GbDDR3产品，且在大陆地区DRAM中出货量最大的是DDR3。北京君正在DRAM领域也有相关布局。

三、要闻及公告：

海外存储厂商的Q2营收出现环增情况，低谷已过。同时，DRAM价格跌幅收窄，DDR5模组合约价首次上涨。

四、投资建议及风险提示：

存储板块受关注程度上升，价格上涨，需关注市场波动风险。建议关注大陆地区利基DRAM厂商，以及NAND半导体芯片的相关标的。同时，关注海外存储厂商的营收情况以及DRAM价格波动情况。

综上所述，存储板块近期受关注程度较高，主要原因在于DRAM和NAND半导体芯片的价格变动。在DRAM方面，主流产品为DDR4，且不断迭代至DDR5。在NAND半导体芯片方面，大陆地区发展较快，重点关注兆易创新和北京君正。同时，关注海外存储厂商的营收情况以及DRAM价格波动情况。