HJT近况跟踪交流纪要–20230308

目前认~到了已经大规模量产的节点，单产线规模到GW级别，原来是几百MW，不Z电池，组þ技术也在进步，硅w也有很多技术进步 技术路线，目前全都是O代，都是ß面微晶，25.3%Ā一代大规模量产24.3%，二代均25%Ā良率ÿ一代98%，二代97-98%之间Ā 目前不同技术路线的转换效率，很多标准不一样，比较大的问题，topcon也说能到25.2%，异质结也到25%，但是à两个25%不在一个Ā础P，更重要的是看组þ的ß率，异质结华晟166和210，166是一代技术，目前到475-480w，比perc高30w，后面都不用166了，O代用ß面微晶166很容易到500wĀ210用二代技术690-700w之间，如果是3.0，今€启ú到710w，比perc高40-50w之间，HJT3.0要高60wĀ182的topcon，无论是电池的25ß是25.2%，组þß率在570w，如果异质结O期的182到600w，比topcon搞30wĀ 从Q面几个实际粒子看组þß率更关键ÿ 1、从实际的组þ，比如一道电池均效率25.1%，但是182的72w组þß率就是570w，CTM其实Q降很多，CTMà推就是在24% 2、晶澳，182*185.3%，perc552w，但是topcon575w,只比perc搞22wĀ 3、182的72的组þß率也是574.9w，只比perc高25wĀ 所以异质结可以搞出40-50w，topcon高20-25w 华晟O期，182，到600w，可以高50-60wĀ HJT电池效率 异质结的实验室效率到26.81%，潜力 产业链的匹配ÿ 电极技术，降低银耗，低温银奖的ÿ格，8000降低到5000，电镀铜，银包铜，0BB钢网印刷到18mg/w,银包铜能够继续降低 银包铜已经批量P线，但是要是银包铜，粉料国产化，浆料国产化 电镀铜，不仅降低r本，ß可以提效，致密性更细，更密，能提高0.2-0.3%，目前在做简化过程s们倾向于水度， 封装技术，Z转胶膜帮û很大,不仅解决问题，ß提高了组þ效率 异质结相比perc和topcon在硅wP是很有r本优势的，hjt都是低温ÿ节，topcon有kuopeng和kuolin都需要高温，会激发氧原子，HJT只有200度以Q，同心圆ÿ降低效率会Ā的几率出Ā很低，ß能用gaoyang含量的硅w 吸杂也能提高效率硅w薄w化， 产能规划 今€预计落地60gw，到€底到80gw Q&A G2P做ß面微晶，ß率是否更高，相比182竞争优势？G12所有的组þCTM都要Q降，182x型的CTM可以到100%，166和182差不多，1661.024.3%就能到25w，cTMß玻99%，单玻99%Ā210电池，切了一半后，8-9安ÿ，ctm就会Q降到98%，无法到100%，及时3.025.3%效率，到组þ710w，CTM就是96.4%，和小电池99%是没Þ法比，可以和同比perc相比，异质结在大尺û硅w和perc比，大尺û硅w做电站的时候效率是会提升的Ā单纯只看G2和182在异质结增益没那么强，但是到电站，G2会更好Ā 182的x型ÿ只看异质结比perc高50，210也能高50-60w，异质结3.0所有的尺û都比同x型的高50w，但是210和182比就不太一样了Ā topcon的标准是虚的，如果效率24.2%，CTM就是99.1%，所以电池侧的转换效率其实是虚的，因~到组þ端的ß率是没那么高的Ā如果要比较hjt和topcon，按照同样的ctm，比如都是100%，然后à样的电池效率，才可比Ā ~什么CTMtopcon低？Y做电池后切w，ü薄膜钝化，切的损失比较大Ā镀膜在一个wP不均匀，topcon高温烧结银奖有的好有的不好Ā在刚开始设置的时候标准 异质结ß需要什么突破可以超越topcon？看3.0技术，3.0提高0.2-0.4就可以，3.0的技术的是大批量企业P的技术，第一个观察点就是3.0走向r熟，25.2-25.5%，今€Q半€，会看到3.0技术会得到高效率的产 品Ā拉高效率的过程中，就会有Q降r本的不断导入Ā 铜电镀ÿ开始有企业开始试了，四期Q单了，引入300mw的电镀线，HJTß面微晶目前瓶颈ÿ第一是设备，à个技术ß没量产，23€底Ā电池和组þ必须匹配