沃尔德调研0916 一 纯金刚石散热方案 1 纯金刚石片薄膜

纯金刚石散热方案采用chip to wafer方案比wafer to wafer方案更优，因大尺寸热沉易翘曲、键合问题及破损风险。不一定需要大尺寸片，4寸即可，海外精益求精于热导率、翘曲、平面粗糙度，技术路线分散（小尺寸单晶、多晶并行）。

国内落地速度快于海外，国内客户多获成品，部分加金属化处理；海外主要提供毛坯片。厚度0.5-1mm较优，越薄越难加工。国内规划65万片产能（含单晶小片、多晶3寸以上），Cvd设备国产为主，不算瓶颈，订单充足但需扩产，需求良好。生长良率、加工良率关键。

国内金刚石+铜复合冷板、超节点纯金刚石方案加速，海外nv、台积电意愿强，金刚石放量在即。自4月起进行产业调研及交流，欢迎咨询进展。金刚石热点-热面，石墨可做z轴散热，可同时置于tim1位置。

国内产能规划65万片，Cvd设备国产为主，订单充足但需扩产，需求良好。M8钻针验证通过，可打4-5万孔未断针，PCD钻针趋势向好。热膨胀系数匹配问题：Si为2.6，金刚石类似，多晶金刚石更大，SIC为4，金刚石与Si键合较好（通常用Si底片）。

热膨胀系数匹配问题是主要担忧，Si为2.6，金刚石类似，多晶金刚石更大，SIC为4。虽然金刚石与Si键合较好（通常用Si底片），但材料匹配性仍需关注。加工难度随厚度减小而增加，厚度0.5-1mm较优。生长良率、加工良率是产能瓶颈。