三星晶圆代工全力扩大 HBM4 4 纳米产能半数用于 基底芯片

根据研报，三星电子已将超过50%的4纳米晶圆产能投入HBM4基础芯片制造，每月投入约1.5万片晶圆。此举旨在支持其高端AI加速器等产品，并计划从第三季度起大幅扩大HBM4供应量。

HBM4作为最新商用化的内存技术，正逐步成为高端AI加速器等产品的核心配置。目前英伟达Vera Rubin等产品已采用HBM4技术。预计第三季度起，HBM4销售额将增长三倍以上，占整体HBM销售额的60%以上，显示出其快速增长的行业趋势。

报告重点分析了三星电子在HBM4基础芯片领域的产能布局、技术优势以及市场前景。特别是其通过4纳米工艺领先竞争对手，并深化基础芯片技术实力的细节，以及基础芯片在HBM垂直堆叠中的重要性随世代演进而提升的技术细节。

目前HBM4市场处于早期放量阶段。三星电子2月率先开始HBM4量产，但上半年供应量有限。预计第三季度起，随着产能的扩大，HBM4供应量将大幅增加，销售额预计将增长三倍以上，市场渗透率有望显著提升。

研报未明确提示具体风险，但可关注半导体行业周期性波动、技术迭代风险以及市场竞争加剧等因素可能对HBM4业务的影响。此外，基础芯片作为新兴技术，其市场需求和产品稳定性仍需持续观察。