DRAM超级周期开启：HBM4定价跳涨与三星技术反攻
DRAM价格预测
- 超级周期：2026年Q1/Q2价格预计涨幅达90-95%及60%以上，全年ASP或持续走高。
- HBM4定价：2027年涨幅预期由100%升至130%-150%，部分激进预测达200%。
- 长期协议：LTA占比升至30%-40%，包含预付款(30%-40%)及照付不议条款，锁定3-5年供应。
产能与供需格局
- 2026年产能扩张：13%-18%，但受HBM良率损耗影响，实际位元增长仅约16%。
- 中国厂商威胁：长鑫(份额8%)与长江存储(13%)产能扩张迅速，预计2028-2030年将构成全球供应威胁。
- 晶圆产能：2026年DRAM整体晶圆产能增幅可能达到13%至18%，但位元增长约为16%。
三星HBM4技术进展
- 技术领先：11.7Gbps引脚速度领先，成为唯一满足英伟达Rubin平台高标规格的供应商。
- 策略转变：从追求利润率转向夺回市场份额，采用更先进的制程提升性能。
- HBM4良率：1c节点DRAM逐步成熟，良率已超过50%，预计最终在60%左右。
英伟达HBM认证
- 双规格策略：传闻NVIDIA将推出11.7Gbps和10.6Gbps两种规格的HBM4产品。
- 供应商挑战：SK海力士和美光正尝试通过重新设计达到11.7Gbps标准。
HBM键合工艺挑战
- 良率瓶颈：16层堆叠对TC键合良率构成严峻挑战，三星和美光良率接近70%，SK海力士突破90%。
- 混合键合：未来必然路径，但大规模量产良率是核心挑战，行业倾向推迟采用并探索无焊剂键合等过渡方案。
