英伟达下一代AI芯片仅采用三星SK海力士HBM4

美美光供应“中端用”计划于今年下半年发布的英伟达新一代人工智能（AI）加速器（专用于AI学习与推理的半导体封装“Vera Rubin”），将搭载三星电子与SK海力士的第六代高带宽内存（HBM4）。 在全球排名第三的内存企业——美国美光被排除在Vera Rubin用HBM4供应链之外。 有分 英伟达下一代AI芯片，仅采用三星・SK海力士HBM4 美美光供应“中端用”计划于今年下半年发布的英伟达新一代人工智能（AI）加速器（专用于AI学习与推理的半导体封装“Vera Rubin”），将搭载三星电子与SK海力士的第六代高带宽内存（HBM4）。 在全球排名第三的内存企业——美国美光被排除在Vera Rubin用HBM4供应链之外。 有分析认为，这是在动作速度、带宽（单位时间内数据处理能力）等HBM4的核心性能方面，韩国内存企业的技术实力获得了认可的结果。 据半导体业界8日消息，英伟达的Vera Rubin零部件供应商名单中包含了三星电子与SK海力士。 两家公司已初步确定为最高端的新一代AI加速器Vera Rubin性能起决定性作用的核心部件——HBM4的供货商。 HBM4是在承担大脑功能的最底层基底芯片之上，由11~13纳米（nm・1nm=十亿分之一米）先进DRAM制造而成的AI服务器用内存半导体。 应用于AI加速器时，其优势在于可快速将大容量数据传送至图形处理器（GPU）。 向英伟达供应上一代HBM即HBM3E的美光，未列入Vera Rubin用HBM4供应商名单。 预计美光将把HBM4供应给并非Vera Rubin、而是面向“Rubin CPX”等专精AI推理的中端AI加速器使用。 仅有三星电子与SK海力士被选为HBM4供应商，是因为它们达到了英伟达所要求的HBM4性能与良率（合格品比例）。 三星电子已实质上通过了英伟达以每秒10吉比特（Gb）、11Gb两种规格进行的HBM4质量测试。 SK海力士则在11Gb测试中正在进行优化过程。 三星电子代工事业部还接下了英伟达决定恢复生产的GPU “RTX 3060”的订单。 不久将在8nm工艺上开始生产。 英伟达“怪兽AI芯片”核心仅有三星・SK…追赶的美光出局，AI加速器“Vera Rubin” HBM4供应商选定自人工智能（AI）时代开启的2022年左右起，决定存储半导体企业命运的地方就是英伟达。 进入英伟达的高带宽内存（HBM）供应链就能成为AI产业的主角，而未能进入的企业则地位下滑。 三星电子便是如此。 困扰三星电子长达两年的“危机论”，源于面向英伟达的HBM3（第四代HBM）供应延迟，并在去年9月通过HBM3E（第五代HBM）12层质量测试后平息。 从这个角度来看，在英伟达Vera Rubin用的HBM4（第六代HBM）供应商中，三星电子、SK海力士入选而美光落选，评价认为意义不小。 因为未来1至2年若实现对英伟达的大批量供应，从而守住HBM的主导权。 高性能HBM4订单据半导体业界8日消息，Vera Rubin的实物将于本月16日在美国硅谷举行的英伟达开发者大会“GTC 2026” 上首次公开。 正式发布日期尚未确定，但据悉将在今年下半年。 英伟达为了压倒AMD、博通等竞争对手，正全力将Vera Rubin的性能提升至现有产品的九倍以上。 全球80多家合作方正与英伟达协同配合，为推出“怪兽级AI加速器”提供支持。 自去年起，英伟达就将HBM4视为支撑Vera Rubin热潮的核心部件，并选定专业内存企业开发高性能HBM4 对Vera Rubin用HBM4的运行速度，要求超过国际半导体标准组织JEDEC规定的每秒8Gb，达到10Gb以上。 数量也进一步提升，用于Vera Rubin的HBM4为16颗，总计量为14400Gb，这比用于AMD的新一代AI加速器MI450的HBM3E总量（432Gb）更大。 美光在Vera Rubin项目中落选，业界分析认为，这是因为其在HBM4的运行速度与良率方面未能达到英伟达的要求。 另一方面，三星电子与SK海力士则通过了英伟达的严格测试，既能获得技术实力认可，也能确保亮眼的业绩表现。 两家企业中，近期三星电子处于领先地位。 三星电子已基本通过英伟达10Gb、11Gb两种规格的质量测试，一次测试对英伟达执行力度产生了积极影响。 上个月，英伟达个人电脑GPU RTX 50系列的HBM4测试也顺利完成，而SK海力士则考虑到AI服务器用HBM4的重要性，优先推进11Gb测试。 英伟达下一代AI芯片，仅采用三星・SK HBM4英伟达被称为“AI时代的OS”，其每一代GPU的推出都对DRAM价格产生了巨大影响。 与HBM3、HBM3E供应时一样，对三星电子而言，下一代HBM4的供应，将是在AI时代重新夺回全球DRAM市场第一宝座的重要契机。 另一方面，美光则因在HBM4领域落后于三星电子与SK海力士，大量生产通用DRAM，在盈利方面面临压力。