AI芯片功耗显著提升,推动三次电源需求升级,可能成为算力释放瓶颈。低压大电流设计面临损耗与散热挑战,同时主板空间限制、器件分流拥挤及电压跌落控制等问题需解决,促使行业技术路线演进以满足更高性能要求。
当前主流技术为同步降压拓扑,但面临空间与成本压力。细分方向包括TLVR耦合电感、模块化方案(谷歌定制大模块、标准小模块)、VPD背面供电及远期IVR芯片内供电。短期趋势是模块及VPD方案导入,长期则储备IVR方案,以适应AI算力发展需求。
国内公司在MOSFET测试阶段,电感实现突破(博科、龙池),但电容仍被日韩垄断。PCB领域,中高端HDI要求高,深南、中试实现国产化。核心元器件规格提升是行业趋势,国产替代空间广阔,尤其在中试、深南电路、博科、龙池等企业身上体现。
海外龙头MP、英飞凌、TI占据领先地位,台达、伟创力主导模组市场。国内企业如立讯(模组)、中试、深南电路(PCB)已进入北美供应链,展现国产化潜力。产业链各环节竞争激烈,技术升级与国产替代成为关键发展方向,推动行业格局变化。
行业技术迭代快,新方案如VPD、IVR等面临设计挑战与验证周期。核心元器件如电容依赖进口,存在供应链风险。市场竞争激烈,国内外企业竞争加剧可能影响利润率。此外,AI算力需求波动也可能对行业增长带来不确定性,需关注技术路线演进与国产化进程的实质性突破。