Gμo金电子 三次电源AI芯片功率跃升下的价值重估 重点关注

这份研报分析了Gμo金电子在三次电源AI芯片功率跃升背景下的价值重估。报告指出，电源技术正从分立式多相Buck向模块化、垂直供电和封装级集成迈进，短期主流仍是多相Buck+DrMOS，中期TLVR、模块化POL、VPD垂直供电将加速导入，分别改善瞬态响应、缩短设计周期、降低PDN阻抗并释放芯片周边空间。报告还梳理了DrMOS、电源模块、被动元件MLCC、电感和PCB等关键环节的主要厂商及市场格局，强调三次电源升级逻辑与单卡功耗相关，市场容量有显著扩容空间，但电感供应已出现紧缺，新项目报价上涨。此外，TLVR、VPD方案预计明年渗透率提升，海外产业链相关标的下半年环比加速。

三次电源技术行业正经历从分立式多相Buck向更先进模块化、垂直供电和封装级集成的演进。短期内，多相Buck配合DrMOS仍是GPU/CPU/ASIC核心供电的主流方案。从中期看，TLVR（封装级集成电源）、模块化POL（电源模块）和VPD（垂直供电）技术将加速导入市场。这些新技术分别通过改善瞬态响应、缩短客户设计周期、降低PDN阻抗以及释放芯片周边空间等方式，提升供电效率和系统性能。未来，随着AI芯片等高功率应用需求的增长，三次电源技术的升级将成为必然趋势，市场容量有望实现多倍扩容。

研报重点分析了Gμo金电子在三次电源AI芯片功率跃升下的价值重估，并梳理了相关产业链的关键环节和技术发展趋势。具体包括：电源技术演进路径，从分立式多相Buck向模块化、垂直供电和封装级集成的迈进；关键元器件如DrMOS、电源模块、被动元件MLCC、电感和PCB的市场格局及主要厂商；以及三次电源升级逻辑与单卡功耗的关系、市场容量扩容空间、供需现状（如电感紧缺）和新技术（TLVR、VPD）的渗透率提升预期。报告还关注了产业链的国产化进程和海外供应链动态。

当前三次电源市场呈现技术快速迭代和产业链格局变化的态势。短期内，多相Buck+DrMOS仍是GPU/CPU/ASIC核心供电的主流方案，但中期的TLVR、模块化POL、VPD垂直供电技术已开始加速导入，展现出改善系统性能和设计效率的潜力。从供需角度看，电感作为关键元器件，在2026年第二季度已出现供应紧缺，新项目报价价格上扬，反映出产业链的阶段性压力。同时，国内厂商在DrMOS、电源模块、电感等领域正逐步实现国产化，如杰华特、晶丰明源、芯朋微等已向客户送样，台达子公司乾坤在电感领域占率最高，国内铂科、顺络等也已向模块厂、MPS等客户供货。PCB环节已实现国产化，未来器件埋入PCB的趋势将进一步提升该环节价值量。

研报提示的风险主要集中在技术迭代和市场供需层面。首先，三次电源技术的快速演进可能导致现有产品路线的加速淘汰，厂商需持续投入研发以适应市场变化。其次，关键元器件如电感的供应紧缺已导致价格上扬，可能影响下游客户的采购成本和项目进度。此外，新技术的导入需要较长的产业链协同时间，TLVR、VPD等方案预计明年渗透率提升，但短期内可能面临成本较高、供应链成熟度不足等问题。同时，海外供应链的波动也可能对国内厂商的国产化进程和市场份额造成影响。因此，投资者需关注技术路线的稳定性、关键元器件的供应保障以及产业链各环节的协同效率。