洁净室专题（二）：从存储研判洁净室远期空间

核心观点

存储行业有望于2028年转为结构性紧缺，远期洁净室空间依旧广阔。根据对存储产品的需求侧及现有主流存储厂商规划项目的梳理，若按期投产并顺利爬坡，2028年HBM供给偏紧的格局有望持续，DRAM及NAND供给紧俏的格局有望相对缓解。远期来看，洁净室行业市场空间扩容主要来源于1）AI服务器出货量维持稳健增长带来的新一轮扩产；2）先进封装升级扩大单颗芯片系统规模，进而同步拉动先进逻辑晶圆、HBM、封装测试和高等级洁净空间；3）工艺升级带动洁净室面积及单位价值量提升。

需求端

• DRAM与NAND需求延续高增，HBM增长动能最为强劲。AI服务器是贡献存储需求的主要终端，且单台服务器搭载的HBM容量在持续提升。全球HBM需求量预计由2025年的2594MGB增至2028年的9783MGB，期间CAGR约55.7%。
• AI基础设施扩张也将带动服务器DDR和企业级SSD需求增长，存储需求增量进一步向AI相关产品集中。数据中心NAND需求主要对应服务器及存储系统使用的企业级SSD，2025—2028年推理场景NAND需求CAGR约86%。

供给端

• 2027-2029为DRAM、NAND扩产高峰。2028年和2029年DRAM投片产能分别新增55.0万片/月和50.2万片/月，主要由三星、SK海力士和美光贡献。
• HBM TSV晶圆加工产能预计由2025年的36.5万片/月增至2026年的47.1万片/月，2027年多个先进封装项目将陆续投产。
• NAND投片产能由2025年的136.5万片/月降至2026年的133.0万片/月，2027年主要依靠现有厂房提产，2028—2029年再逐步转向新厂投产。
• 综合型存储厂商的产能配置向DRAM倾斜，2026年对DRAM的投入力度明显高于NAND。

供需格局

• 存储市场短期仍将维持供给偏紧。AI基础设施建设持续推动服务器DRAM、HBM及企业级SSD需求增长，而新建晶圆厂和先进封装项目从建设到产能释放需要较长周期，供给端短期难以快速响应。
• DRAM供需增速错配预计延续至2027年，有望在2028年得到阶段性缓解。
• HBM需求增长仍将快于供给释放，2027年供需偏紧格局预计延续。
• NAND供给紧张预计延续至2027年上半年，下半年有望逐步缓解。

远期洁净室市场空间

• AI服务器持续高景气支撑远期核心部件扩产需求。若假设2027年及之后AI服务器增量维持在20%的水平，2030年较2028年存在的GPU及配套HBM需求缺口约1386万颗。
• 先进封装技术升级拉动先进逻辑、HBM和高等级洁净空间。玻璃基板、CoWoS、SoIC、混合键合、Chiplet等先进封装技术通过提升封装内部逻辑芯片、HBM、I/O及中介层的集成密度，拉动前道晶圆制造与后段封测环节协同扩产。
• 工艺升级下单位投资额有望提升。随着芯片线宽缩小，超低浓度空气分子污染物逐渐成为影响工艺微缩和良率的重要限制因素，洁净室需要控制更小尺寸的颗粒和更多种类的分子污染物，对过滤、监测及环境控制系统的要求随之提高，面积扩大与单位造价提高共同推动先进存储项目洁净室价值量增长。

风险提示

宏观经济波动风险，半导体扩产不及预期，测算偏差风险。