这份研报的核心内容是分析先进封装行业的景气度与业绩兑现情况。报告指出,近期长电、通富、华天等封测企业Q2利润明显改善,验证了封测景气进入业绩兑现阶段。同时,日月光先进封装涨价、国内OSAT扩产、国产AI芯片向Chiplet+HBM演进等趋势,显示先进封装从工程验证迈向规模量产。报告从传统封测景气快速兑现、CoWoS-L国产算力缺口、先进封装与测试重要性提升、大封测扩产设备订单受益等四个维度展开分析,强调封测板块进入‘传统业务业绩兑现+先进封装成长加速’的双重验证阶段。
先进封装行业的发展趋势主要体现在以下几个方面:首先,传统封测景气进入快速兑现期,AI算力、存储景气和国产化拉动封测需求,头部厂商稼动率和中高端产品占比提升。其次,CoWoS-L成为国产算力下一阶段的核心缺口,AI芯片向多Die+多HBM演进,适配下一代GPU/ASIC。其技术壁垒包括Si Bridge、细线宽RDL、Die Bond等。第三,先进封装与测试重要性同步提升,多Die集成后KGD、ATE/SLT、老化及可靠性测试价值量提升。最后,大封测扩产将拉动RDL、Bump、Die Bond等设备需求,订单通常领先产能释放。
报告重点分析了四个方向:一是传统封测景气进入快速兑现期,通过长电、通富、华天等企业Q2利润改善,验证了供需和议价能力改善。二是CoWoS-L作为国产算力核心缺口,其技术壁垒与产能稀缺性,凸显头部OSAT价值。三是先进封装与测试重要性同步提升,强调Chiplet、HBM和异构集成对性能提升的关键作用,以及多Die集成后测试环节的价值量提升。四是大封测扩产带动设备订单率先受益,长电、甬矽、汇成等持续加码资本开支,拉动相关设备需求。
当前先进封测市场现状表现为:封测景气进入业绩兑现阶段,长电、通富、华天等企业Q2利润明显改善,日月光先进封装价格上涨,显示供需关系好转。国内OSAT加速扩产,国产AI芯片向Chiplet+HBM演进加速先进封装规模量产进程。CoWoS-L技术成为国产算力关键环节,但产能稀缺性突出。同时,多Die集成趋势下,KGD、ATE/SLT等测试环节价值量提升,设备需求受大封测扩产带动,订单领先产能释放。
研报提示的风险主要集中在技术壁垒与产能稀缺性方面。CoWoS-L等先进封装技术涉及Si Bridge、细线宽RDL、Die Bond等多重技术壁垒,技术突破与良率提升存在不确定性。同时,CoWoS-L有效产能稀缺性可能导致头部OSAT价值提升过快,但需关注产能释放节奏与市场竞争格局变化。此外,国产化进程虽加速,但部分关键设备仍依赖进口,可能存在供应链风险。先进封装规模量产过程中,多Die集成后的测试环节良率与可靠性控制也是潜在风险点。