东吴电子陈海进 存储7月回调充分 迎接业绩上

事件：7月华邦电、旺宏、南亚科单月跌约38%、22%，于7月30日左右见底；8月三厂自底部涨幅达41%、34%、44%，呈现强劲复苏。

观点重申： 利基存储：供给端“永久收缩”与需求端“结构上移”

• 海外大厂（三星、海力士、美光、铠侠）持续将产能转向HBM与3D NAND等高价值产品，利基DRAM、MLC NAND、NOR Flash的成熟产能被系统性挤出；
• AI服务器、边缘计算、工业与车规的刚性需求仍在增长，价格上涨具备持续性；
• #供需冲突长期难以调和#

供需催化长期涨价趋势

• 当前利基DRAM缺口约20%，2027年前无新增产能；
• NOR Flash高容量车规型号缺口30%+；
• MLC NAND供给短缺，部分工控、车用和网通客户计划改用SLC NAND；
• 利基需求升温叠加MLC转单效应下，SLC NAND缺口持续扩大，Trendforce预计26H2 SLC NAND合约价上涨120%-170%；
• #7月南亚科/华邦电/旺宏营收环比49/30/11%。

相关公司：长鑫科技、兆易创新、东芯股份、普冉股份、联芸科技

风险提示：行业竞争加剧、宏观经济波动导致需求不及预期

东吴电子：陈海进/谢文嘉#文字观点#