玻璃基板凭借高热稳定性、高密度互联及20%长期成本优势,可替代硅中介层、ABF芯板并应用于CPO。其CTE可调优于有机基板,支持微孔与精细布线,方形制造或可降低20%长期成本。主要应用于玻璃中介层替代硅/有机中介层(如CoWoS)、玻璃芯板替代ABF载板芯层(如英特尔Glass Core)、玻璃临时载板支撑HBM减薄工艺、CPO平台通过TGV实现光引擎与ASIC互联,提升光纤集成密度。
先进封装技术正朝着2.5D/3D、扇出型及SiP/SoC方向演进。台积电CoWoS、三星HBM及英特尔方案为市场主流。2.5D/3D封装通过中介层或TSV堆叠实现更高集成度;扇出型封装布线面积大于芯片面积,提升布线量;系统级封装SiP/SoC集成度持续提升。当前三大趋势为高密度与小型化,主流方案中台积电CoWoS系列(含CoWoS-S、-R、-L)采用2.5D封装,三星聚焦HBM,英特尔方案市场占有率相对较低。
本报告重点分析了先进封装玻璃基板的技术趋势、产业链及量产节奏。技术趋势方面,探讨了2.5D/3D、扇出型及SiP/SoC三大主流方案,以及玻璃基板替代硅中介层、ABF芯板的应用场景。产业链方面,分为设备材料、制造加工、半导体/CPO应用三个环节,并分析了英特尔、台积电、康宁、三星等厂商的进展。量产节奏方面,短期内替代硅中介层可行性更高,中长期可替代ABF芯板,预计2027年小批量试产,2028-2029年量产。
当前玻璃基板良率约70%,主要瓶颈为TGV打孔深孔PVD溅射均匀性、多层布线堆叠层数增加导致良率损耗、AOI检测玻璃透明性对检测设备要求更高。产业链分为上(设备材料)、中(制造加工)、下游(半导体/CPO应用),英特尔2026年量产基地投用,2030年全面商用;台积电CoWoS玻璃基板中试线已投用,2027年小批量试产,2028-2029年量产;康宁玻璃桥技术基于离子交换光波导,与TGV结合,商业化待验证;三星电机已向苹果、博通送样,2027年量产。
本报告提示先进封装玻璃基板的技术瓶颈与量产风险。当前玻璃基板良率约70%,短期内替代硅中介层可行性更高,中长期可替代ABF芯板,预计2027年小批量试产,2028-2029年量产。主要瓶颈包括TGV打孔深孔PVD溅射均匀性、多层布线堆叠层数增加导致良率损耗、AOI检测玻璃透明性对检测设备要求更高。此外,康宁玻璃桥技术为早期概念,探索离子交换光波导,尚未商业化,商业化前景待验证。