- 公司深耕长晶设备赛道十余年，形成多元业务布局，涵盖半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉、光伏单晶炉等，并配套外延、切割、减薄等设备，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。
- 公司技术同源为核心根基，依托高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合产业链上下游技术协同优化的能力，攻克大尺寸半导体级单晶硅炉、碳化硅（SiC）长晶炉、衬底加工设备及外延生长设备等关键装备的技术难题。
- 公司实控人持股根基稳固，拟收购为准智能推进产业链纵向延伸，实现“设备+测试”垂直协同，短期直接增厚整体营收与利润，中长期可依托下游测试业务精准捕捉终端技术趋势与客户需求，反向推动硅、碳化硅长晶设备研发迭代，提升设备定制化服务能力，同时依托标的成熟海外销售渠道，加速公司碳化硅单晶炉海外市场开拓进程。
- 2025年受碳化硅、光伏行业周期下行拖累，下游衬底厂商扩产放缓，公司订单与营收阶段性承压，但自2025年末行业需求逐步修复，截至2026年5月公司在手订单合计3.52亿元，以高毛利半导体、碳化硅设备为主，碳化硅设备交付周期仅3-5个月、硅炉交付周期6-8个月，全年设备交付量有望大幅回升，营收与盈利有望同步迎来修复拐点。
- 国内下游12英寸产线加速扩产，公司技术与客户壁垒构筑稳定基本盘，是国内最早完成12英寸半导体级单晶研发与产业化的厂商，设备控温、等径控制等核心指标对标海外竞品，并且长期深度绑定上海新昇、金瑞泓等国内头部硅片企业，客户认证壁垒高、复购属性强，随着国内12英寸晶圆厂持续落地，国产长晶设备替代空间广阔，半导体硅炉业务保持稳健高增，持续为公司提供高毛利稳定收入来源。
- 相关研究：新能源车+AIDC双轮拉动SiC需求，12英寸半绝缘衬底迎来新增量。新能源汽车800V高压平台渗透率持续提升，叠加AIDC服务器全面切换800VHVDC架构，带动导电型碳化硅衬底需求高速增长；同时高端GPU功耗突破千瓦，HBM多芯片堆叠催生封装散热需求，英伟达Rubin芯片规划2027年量产，推动台积电CoWoS封装将硅中介层替换为12英寸SiC中介层，打开半绝缘衬底长期增量空间。公司SiC设备先发优势显著，8英寸机型已批量供货，12英寸设备完成小批量验证；同时是国内较早切入台湾市场的SiC设备企业，与岛内四家核心客户深度合作。12英寸设备单价、毛利率显著优于8英寸产品，大尺寸机型放量将持续抬升公司盈利弹性，碳化硅业务成为核心增长引擎。
- 投资建议：公司作为国内稀缺可同步量产12英寸半导体硅单晶炉、8/12英寸碳化硅单晶炉的本土长晶设备领军企业，主业充分受益AI算力及新能源车800V高压平台双轮驱动，下游衬底厂商集中扩产带动设备订单饱满，产能爬坡与产品结构升级共同推动盈利中枢持续上行。同时，公司先发落地SiC设备商业化，8英寸机型批量交付、12英寸机型小批量出货，深度卡位中国台湾头部衬底厂并间接切入台积电先进封装供应链，充分受益2027年RubinGPU带动12英寸SiC衬底需求爆发。我们预计2026-2028年公司营业收入为3.28/6.76/11.35亿元，同比增长184.01%/106.14%/67.80%；归母净利润为0.40/1.07/2.61亿元，同比增长203.35%/170.73%/143.40%，EPS分别为0.29/0.78/1.89元/股，对应当前股价（2026年8月3日收盘价），PE分别为134X/50X/20X，首次覆盖，给予“买入”评级。
- 风险提示：下游产能爬坡风险、技术路线不确定性、市场竞争风险、毛利率波动风险、并购失败的风险等。
