核心观点与关键数据
- 内存现货价格持续上涨：内存现货价格已连续八周上涨，尽管处于异常高位。OEM从抵制价格上涨转为积极采购，为旺季做准备。服务器DRAM价格环比上涨20-30%，主要受高速LPDDR5推动。现货需求乐观，DDR5和DDR4价格环比再次上涨。
- NAND现货价格表现良好：受1TB产品带动，NAND现货价格周环比上涨4%，预示第三季度NAND ASP上涨。
- 台积电和三星资本开支指引积极：台积电2026年资本支出指引上调至600-640亿美元，客户需要更先进的HBM、SOCAMM和eSSD。阿斯麦第二季度业绩强劲，中国出口疲软，台湾/逻辑芯片销售增长显著，管理层对新AI芯片和高NA EUV预期乐观。
- 全球记忆科技市场向好：预计2026年第二季度全球DRAM和三星ASP环比增长放缓，第三季度环比增长约+20%，第四季度实现高个位数环比增长。NAND ASP第三季度回升至约+10-15%，第四季度回升至约+0-5%。
- 中国智能手机市场复苏：中国智能手机出货量同比增长+19%，但可持续增长尚未确认。华为市场份额增长明显，苹果增长强劲。
研究结论
- 第三季度DRAM ASP预测：全球预测环比上涨21%，与渠道调研结果一致，比TrendForce的假设更为乐观。
- NAND ASP预测：预计2026年第三季度环比增长约+10-15%，第四季度环比增长约+0-5%。
- 内存价格长期趋势：内存现货和合约价格上涨至约35-40美元的历史新高，DDR5 DRAM价格约为45美元，NAND约为25美元。
- 内存库存与估值：内存库存量在2027年上半年预计将急剧修正，但价格仍维持在高位，由NAND和HDD引领，DRAM持续走强，受AI驱动需求支撑。
关键数据
- DRAM现货价格：16GB DDR5约49美元，DDR4约80美元。
- NAND现货价格：512GB NAND约25美元。
- 服务器DRAM合约价格：DDR5和DDR4内存条价格持续上涨。
- 客户SSD价格：较第一季度略有下降，但2025年呈现逐步上升趋势。
- 内存股票表现：波动剧烈，盈利不及预期与稳健的基本面形成对比。
市场动态
- OEM采购行为变化：从抵制价格上涨转为积极采购，为9月份及第四季度旺季做准备。
- HBM订单量变化：高价HBM4订单量上升，低价HBM3e订单量下降。
- LTA销售占比：非LTA部分占销售量的60-70%，环比价格稳步上涨。
- 中国集成电路进口：达537亿个，同比增长7%。
- 中国智能手机市场：外国品牌出货量同比下滑19%，华为市场份额增长明显，苹果增长强劲。
