核心观点
- AI驱动先进逻辑与存储扩产，资本开支进入新一轮上行周期： AI算力需求爆发带动全球半导体设备市场规模持续创新高。先进逻辑端FinFET向GAA/CFET演进，5nm及以下制程单位产能设备投资额显著提升；存储端HBM带动DRAM高阶制程升级，3D NAND向400层以上堆叠演进，单万片/月产能投资额同步提升。
- 中国大陆晶圆产能全球占比仍低于销售占比，扩产动能具备持续性： 尽管中国大陆晶圆全球产能占比已提升至22%，但相较于30%的销售占比仍有提升空间。中芯国际、华虹等逻辑与存储龙头资本开支维持高位，叠加长江存储、长鑫存储上市融资在即，扩产动能具备持续性，支撑前道设备景气度中长期上行。
- 制程迭代推动设备结构升级，刻蚀与薄膜沉积价值量提升： 先进制程结构复杂化带动图形化环节投资强度提升。逻辑端GAA结构、存储端高层数3D堆叠，对高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子级沉积技术提出更高要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程演进呈提升趋势。
- 外部制裁强化自主可控逻辑，国产替代进入加速阶段： 美国、荷兰、日本持续强化对14nm及以下先进制程设备出口限制，中国大陆作为全球最大设备需求市场，进口依赖度较高的涂胶显影、清洗、量检测、光刻等环节国产化率仍低于25%。在政策支持与大基金三期落地背景下，国内晶圆厂扩产将更加倾向国产设备采购。
- AI加速产业化，推动算力中心、终端用芯片需求快速增长： AI算力芯片对存储器件需求极高，DDR5逐渐取代DDR4，HBM在加速卡上全面取代GDDR显存，SSD逐渐替代HDD。HBM+CoWoS封装成为主流方案，带动先进封装设备需求增长。
- 云端先进存储+端侧SOC芯片需求旺盛，带动测试机需求数据来源：SEMI，东吴证券研究所
关键数据
- 2025年全球半导体设备市场规模为1350亿美元，中国大陆占比达37%。
- 2026年全球半导体设备销售额预计将达1330亿美元，同比增长18%。
- 2027-2029年逻辑领域预计设备总投资额将达2280亿美元，是设备支出第一大领域。
- 2027-2029年Memory领域预计设备支出总计将达1750亿美元，其中DRAM设备支出预计1110亿美元，3D NAND设备支出预计620亿美元。
- 中国大陆晶圆全球产能占比已从2021年的16%提升至2024年的22%。
- 中芯国际2025年资本开支为81亿美元，同比+11%，预计2026年资本开支与2025年基本持平，维持高位。
- 长江存储2025年预计营收580亿元，先进产品突破&工艺提升&存储涨价带动亏损持续收窄。
- 长鑫存储2024年资本开支达712.3亿元，2025H1达241.1亿元。
- 2024年中国智能算力规模达640.7EFLOPS，2026年有望达1271.4 EFLOPS。
- 2024年中国AI芯片市场规模达1405.9亿元，2019-2024年CAGR达36%。
- 根据爱德万预测，受HPC/AI芯片需求增加，2026年全球存储和SoC测试机市场空间有望突破120亿美元。
研究结论
- 看好前后道半导体设备+零部件厂商，重点推荐前道平台化设备商【北方华创】【中微公司】，低国产化率环节设备商【芯源微】【中科飞测】【精测电子】，薄膜沉积设备商【拓荆科技】【微导纳米】，去胶、热处理&刻蚀设备龙头【屹唐股份】，后道封装测试设备【华峰测控】【长川科技】【迈为股份】；零部件环节【新莱应材】【富创精密】【晶盛机电】【英杰电气】【汉钟精机】。
- 看好外部制裁加码&内部政策支持，设备商技术持续进步带来国产化率提升。
- 看好先进封装&高端测试机产业机遇，AI加速产业化推动算力中心、终端用芯片需求快速增长。
- 制程迭代带动设备放量，设备商刻蚀、薄膜沉积形成差异化布局。
风险提示
- 半导体行业投资不及预期
- 设备国产化进程不及预期
- 技术迭代及工艺路线变化风险
