- 核心观点:SK海力士2026年一季度业绩超市场预期,主要受益于AI算力需求爆发带动HBM和DRAM价格暴涨,公司凭借市场主导地位和英伟达HBM3/3E/4绑定实现高增长。后摩尔时代下,先进封测重要性提升,国内长鑫存储积极扩产HBM,利好先进封测设备商。
- 关键数据:
- SK海力士2026年一季度营收52.58万亿韩元(约2441亿元人民币),同比+198%/环比+60%;净利润37.61万亿韩元(约1746亿元人民币),同比+406%/环比+96%;净利率约77%,创全球半导体历史新高。
- 英伟达B200中HBM成本为2720美元/颗、占比约42%;博通公司TPUv6中HBM成本为991美元/颗、占比约40%;美满Trainium2中HBM成本约1060美元/颗、占比约30%。
- 长鑫存储计划通过IPO募集295亿元,用于现有产线技术升级改造、DRAM(包括HBM)技术升级以及前瞻技术研发。
- 设备新需求:
- 测试机:高性能测试机需求显著增长,因SoC芯片设计和制造的复杂性增加,以及先进存储芯片的容量和带宽提升。
- 封装设备:AI芯片主要采用HBM、CoWoS等2.5D、3D封装,涉及TSV刻蚀设备、薄膜沉积设备、减薄机、混合键合等。
- 投资建议:
- 测试设备:关注AI芯片带来的国产存储、SoC测试机突破,相关标的长川科技、华峰测控等。
- 封装设备:国产AI芯片采用CoWoS和HBM先进封装,关注国产封装设备新机遇,相关标的有北方华创(TSV刻蚀)、中微公司(TSV刻蚀)、拓荆科技(薄膜沉积+键合)、芯源微(涂胶显影+键合机)、华海清科(减薄机)、盛美上海(电镀机)、晶盛机电(减薄机)、迈为股份(磨划+键合)等。
- 风险提示:下游扩产速度不及预期,设备国产化进程不及预期。