中信电子2026年1月存储行业速报主流利基存储涨幅全面超预期

1月价格回顾：

• DRAM：主流颗粒现货价环比上涨16%~33%；合约价加速上涨，DDR5-8Gb/DDR4-8Gb合约价环比涨幅达119%/63%。
• NAND Flash：主流颗粒现货价环比上涨24%~34%；合约价环比上涨37%~67%。
• 模组：DDR4/5内存条现货价格上涨13%~50%；SSD上涨39%~62%；移动存储上涨22%~43%。

价格展望：

• DRAM：预计Q1传统DRAM合约价上涨90%~95%（此前预期50%~60%）；供需差距扩大，北美CSP厂商锁定货源导致其他客群接受高价，预计服务器DRAM单季度上涨88~93%。
• NAND Flash：AI服务器需求强劲，预计Q1整体合约价上涨55%~60%（此前预期33%~38%）。
• 利基存储：预计NOR Flash 26H1将保持上涨，Q1涨幅超20%，中小容量NOR涨幅更大；美光、铠侠减少SLC NAND供应，预计26H1价格上涨幅度接近主流TLC/QLC产品。

厂商观点：

• SK海力士：预计2026年DRAM需求位元量同比增速20%以上，NAND需求位元量同比增速15%~20%，受AI服务器、数据中心需求驱动。
• 三星电子：AI服务器需求强劲，手机和PC出货受存储供给和价格影响走弱。
• 闪迪：预计2026年数据中心位元需求增长将超过60%。

核心推荐：

• 存储涨价受益：重点推荐兆易创新、普冉股份、北京君正等。
• CPU链/内存升级：重点推荐AI互联芯片龙头澜起科技。
• 长鑫募投扩产设备受益：建议关注中微公司、华海清科、珂玛科技、精智达等。
• 存储配套逻辑芯片代工：建议关注华虹半导体、燕东微等。