核心观点与关键数据
全球内存行业模型更新：
- 预计 2026 年全球 DRAM 和 NAND 销售额将分别增长 95% 和 82%，主要得益于 50-60% 的平均售价（ASP）提升。
- DRAM 价格自 2025 年 9 月以来首次出现松动，但许多 OEM 厂商表示当前 DRAM 成本已超过其低端 PC/智能手机的售价。
- NAND 价格本周进一步上涨，主要受供应紧张（2025 年上半年减产影响滞后）推动。
LG Electronics (LGE) 优势分析：
- LGE 在内存短缺担忧下表现良好，主要得益于：1）美国关税管理得当（2025 年预期处于中上周期）；2）在家电、汽车零部件和暖通空调（HVAC）领域保持稳健利润率；3）电视业务重组（2026 年起不再出现重大亏损）；4）数据中心冷却器和机器人（工业、人形、内部电机/执行器组件）等长期增长催化剂。
- 预计 2026 年 LGE EPS 将增长 11%，并将目标价从 W130,000 上调至 W140,000（使用 1.0x 的 2026 年预期市净率 P/B）。
全球内存周期展望：
- 预计 2026-2027 年全球内存周期将延续上行趋势，DRAM 销售额预计将增长 95%（2024 年增长 86%，2025 年增长 52%），关键贡献来自海力士的 HBM 和强劲的 ASP 回弹（同比增长 65%）。
- NAND 预计将增长 82%（2025 年低个位数增长），主要受 ASP（同比增长 53%）推动。
HBM 市场分析：
- 预计 2026 年 HBM 市场规模将达到 600 亿美元，增长 74%，主要基于有限的降价（混合 ASP 下降 3%）、强劲的比特增长（+80%）以及海力士的 12 层 HBM3e 和 HBM4（2025 年第四季度开始量产）。
- 预计 2027 年 HBM 市场将保持增长，因销量增长和成本降低将完全抵消价格下调。
AI 加速器和内存需求：
- 2025 年推出的主要 GPU/ASIC 包括 288GB HBM3e（Blackwell Ultra, MI350X）、144GB（Trainium3）和 192GB（TPU v7）。
- 2026 年将推出新一代 GPU/ASIC，大多采用 HBM4（容量 384GB），OpenAI 和微软的新产品将为 HBM 带来新的增长机会。
- NVIDIA GPU 中 HBM 内容增长显著，Rubin 和 Rubin Ultra 驱动 2025-2026-2027 年 HBM 内容大幅增长。
- AMD GPU 中 HBM 内容也增长 10-30%，主要由 MI350X（2025 年）和 MI400 系列（2026 年）推动。
市场指标与估值：
- BofA 内存指标在 2025 年 11 月强劲复苏，主要受 DRAM 价格上涨、ASP 提升和韩国出口强劲推动。
- 内存股票价格在 2026 年至今表现强劲，主要受三星和海力士的创纪录第四季度业绩、台积电的强劲业绩和指引、持续的现货价格上涨、2026 年 CES 期间的新产品发布以及韩国芯片制造商估值较低等因素推动。
- 内存设备制造商表现优于无晶圆厂公司。
风险与机遇：
- 上行风险：美国关税意外取消、更积极的股东回报、数据中心冷却器等增长机会、美国市场份额在中国 OEM 侵蚀下增长。
- 下行风险：美国关税影响扩大（如全球衰退）、中国竞争对手更具创新性的消费电子产品和机器人、成本增加（物流、金属、劳动力、公用事业）。
研究结论
全球内存行业正处于周期上行阶段，预计 2026-2027 年将保持强劲增长，主要受 HBM 需求和 ASP 提升推动。DRAM 现货价格首次出现松动，但与合约价格仍存在较大差距。LG Electronics 凭借稳健的利润率、长期增长催化剂和良好的关税管理，在内存短缺担忧下表现良好。AI 加速器的需求将持续推动 HBM 市场增长。内存行业估值较低，具备投资价值，但需关注美国关税、中国竞争对手创新和成本上升等风险。
