半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期

核心观点

• 企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期，存储价格全面上涨。
• DRAM：服务器建置动能回暖，DDR5价格稳健上扬，DDR4因产能缩减价格持续攀升，25Q4 DRAM涨幅预期上修，26年DDR5合约价有望全年上涨。
• NAND Flash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨，25Q4 NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达5-10%。
• AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期。
  • 云厂商资本开支高增，服务器NAND和DRAM应用占比持续增长。
  • DRAM：低功耗内存需求日益旺盛，26年传统DRAM新增产能有限，HBM是DRAM行业最核心的价值增长引擎。
  • NAND：受KV Cache卸载&HDD挤占影响，NAND出货或将出现爆发式增长，中高容量eSSD应用占比大幅提升，PCIe5.0 SSD渗透率逐步提高，QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。

关键数据

• 25Q4 DRAM涨幅预期：一般型DRAM价格预估涨幅从8-13%上修至18-23%。
• 25Q4 NAND合约价涨幅：平均涨幅达5-10%。
• 2025年服务器NAND应用占比：预计达30%。
• 2025年服务器DRAM应用占比：预计达36%。
• 2025年8TB及以上容量eSSD份额占比：预计将扩大至42%。
• 2025年PCIe5.0 SSD市场份额：预估将大幅增长至30%。
• 2026年SSD出货：可能出现爆发性增长。

研究结论

• 近期存储价格全面上涨，除DDR4供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能回暖，且AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。
• 随着数据中心建设以及服务器单柜存储配置提升，我们对25Q4及26年存储价格预期乐观。
• 建议关注：江波龙、德明利、香农芯创、兆易创新、佰维存储、聚辰股份、联芸科技、北京君正、普冉股份、东芯股份。

风险提示

• 存储产品价格波动影响。
• 下游需求不及预期。