光大科技存储20252027年存储超级周期2025Q42026年合约

核心观点与价格展望

• 价格趋势：NAND FLASH合约价在2025Q4至2026年将持续上涨，2026年预计将超过0.10美元/GB。当前现货价与合约价存在巨大价差，未来合约价上涨不可逆。
• 关键数据：
  • 现货价 vs 合约价：11月28日DDR4现货价约16-21美元/GB、DDR5约13美元/GB，而目前DDR合约价5-8美元/GB；TLC现货价约0.14美元/GB、QLC现货价约0.10美元/GB，而目前现货价约0.06美元/GB。
  • Trendforce预测：传统DRAM在2025Q4上涨45-50%，2026年Q1-Q4分别上涨15-20%、5-10%、3-8%、0-5%；Total NAND FLASH在2025Q4上涨25-30%，2026年Q1-Q4分别上涨20-25%、13-18%、5-10%、0-5%。
  • 供需缺口：Trendforce预计2026年DRAM供需缺口将至少达8%。

产业趋势分析

• DRAM：供给持续转向AI和服务器，消费类产能受挤压，2025年三大原厂新产能优先满足HBM需求。
• NAND FLASH：AI服务器市场数据分层：
  • 冷数据：云厂商转向QLC eSSD（交期52周）。
  • 温数据：AI推理需求大量QLC eSSD。
  • 热数据：AI训练使用大量TLC eSSD。

投资建议

• 股价回调是重要配置机会：股价走势与产业趋势背离，回调时为布局良机。
• 建议关注领域：
  1. 芯片：兆易创新、北京君正、普冉股份。
  2. 模组：香农芯创、德明利、佰维存储、江波龙、协创数据。
  3. 封测：汇成股份、长电科技、深科技。
  4. 设备材料：北方华创、微导纳米、中微公司、神工股份、雅克科技。