兆易创新6全文引用中泰电子贝塔分析存储涨

核心观点与关键数据

存储涨价超预期持续增厚利润，3D DRAM大空间

• 存储涨价超预期：存储行业目前处于缺货状态，预计2026年价格将超预期上涨，持续增厚企业利润。
• 3D DRAM大趋势：3D DRAM是AI时代的确定性技术路径，具备大带宽、低功耗、高灵活性等特点。高通将推出AI250推理芯片，采用定制化3D DRAM方案，标志着海外云端厂商也开始采用该方案，国内产业趋势变为全球产业趋势。

定制化DRAM全球大趋势，2026年催化密集

• 兆易创新6项目进展顺利：兆易创新各大客户项目进展顺利，云+端持续推进，2026年催化密集。
• 定制化DRAM全球趋势：3D DRAM技术被高通等海外厂商采用，推动定制化DRAM成为全球大趋势。

存储业务全面向上，2026年量价齐增高弹性

• NOR：公司第一大收入来源，目前行业缺货，预计2026年涨价超预期，叠加量增，利润弹性大。
• 利基DRAM：2026年合约价继续上涨，公司产能提升，2026年收入有望高速增长，超过MCU成为第二大收入来源。
• SLC NAND：目前行业缺货，预计2026年涨价20%+，量有望显著增长，布局MLC NAND进一步打开空间。

风险提示

• 技术发展不及预期等。