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电子行业周度点评报告：3D NAND或成为存储新增长曲线

电子设备 2025-12-14 金元证券郭小欧

核心观点：随着生成式人工智能从模型训练迈向推理与应用部署，存储瓶颈正从算力转向存储，非易失性存储（NAND Flash）的读写性能成为制约系统效率的关键。AI-NAND的发展将推动低温刻蚀、混合键合、薄膜沉积、CMP等设备商迎来景气周期，设备在晶圆成本中的占比将持续上升。
关键数据：
- SK海力士与英伟达合作开发下一代NAND，目标2027年实现存储性能大幅提升，推出AIN产品矩阵，包括AIN-P（AI推理）、AIN-B（HBF高带宽闪存）、AIN-D（PB级容量）。
- AIN-P目标2026年下半年推出首批样品，实现5000万IOPS，2027年达成1亿IOPS。
- HBF架构采用类似HBM的垂直堆叠封装，容量可达HBM的8至16倍。
- 3D NAND技术发展路线：从200+层向300+层过渡，行业路线图指向1000层堆叠，SK海力士已展示321层样片，预计2025年投入量产。
- 长江存储Xtacking 4.0（294层/Gen 5）拥有294层总栅极数，实际激活层数约为232层。
研究结论：
- 电子行业呈现涨跌分化格局，电子化学品、元件等领涨，半导体板块内部分化突出，光学光电子表现偏弱。
- AI-NAND的发展将推动相关设备商迎来景气周期，设备在晶圆成本中的占比将持续上升。
相关公司：
- 设备商：中微公司、拓荆科技、盛美上海、精智达等。
- 材料：鼎龙股份、安集科技、华特气体、南大光电等。
风险提示：
- AI推理不及预期。
- 生产端不及预期。
- 工艺良率不及预期。