电子行业存储价格周度跟踪-0317：DRAM颗粒价格分化，NAND预计Q2持续上涨

DRAM：市场品牌颗粒价格走势不一，终端需求仍可持续观察。根据DRAMexchange，上周（0310-0317）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅为-1.2%~+1.0%，平均涨跌幅为-0.1%，前值为-0.3%。上周个4料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，4个料号价格持平。市场品牌颗粒价格走势有所区分，SK Hynix DDR4货源充足，因而以较低价吸引买家，Samsung颗粒官价或将持续上涨，现货价有所支撑，下跌幅度缩小，但仍须观察终端需求而定调。 NAND：供应端积极报价求售，原厂及模组厂预期Q2将持续上扬。上周（0310-0317）NAND颗粒现货价格环比涨跌幅区间为-3.5%~+1.4%，31个品类平均涨跌幅为-0.6%，前值为-0.6%。其中12个型号价格持平，2个型号价格上涨，17个型号价格下跌。市场卖压仍然存续，供应端多积极报价求售，特定品项有部分询单，终端需求略低于预期，工厂端备货速度放缓，整体市场氛围大多处于观望状态，原厂端及模组厂大多预期未来第二季报价将持续上扬，但在终端需求未明朗前，整体备货动作较为保守。此外，NAND Wafer现货价在前四周企稳后，本周上涨+3.2%。作为模组厂的主要成本，NAND Wafer的转涨后续有望带动下游模组厂跟进涨价，进一步改善模组厂盈利能力。 模组端：铠侠向高性能和高密度进发，积极拥抱AI需求。AI井喷式发展加速了存储行业的升级，其中PCIe 5.0技术是设备性能提升的关键，而EDSFF新的企业级标准规格优化了SSD的物理尺寸、散热、性能、安装便捷性等多个特性。铠侠CM7系列和CD8P系列均推出了EDSFF E3.S规格的产品，支持PCIe 5.0和NVMe 2.0，同时具备高密度存储和高吞吐量的性能表现，在能耗与性能间出色平衡，为数据中心和企业级用户提供合理的扩容选择。同时，铠侠聚焦于前沿存储技术研发，218层3D NAND Flash采用创新的横向微缩技术，为4 Plane的1Tb TLC和QLC，存储Bit密度提升超50%。我们认为，AI时代下，SSD高传输速率与高存储密度的发展趋势将加速迭代，共同催化SSD价量齐升。 相关标的： 存储模组：江波龙（进军企业级&信创市场）、佰维存储（研发封测一体化）、朗科科技（韶关数据中心逐步落地）、德明利（NAND主控+模组）等 存储芯片：建议关注兆易创新（NOR+DRAM龙头）、东芯股份、普冉股份等DDR5配套：澜起科技、聚辰股份等 风险提示：下游需求不及预期、行业竞争加剧、全球贸易摩擦风险。 图2：DRAM中小容量现货价趋势（美元） 5.00 4.50 4.00 3.50 3.00 2.50 2023/6/5 2023/8/7 2023/4/25 2023/5/15 2023/6/26 2023/7/17 2023/8/28 2023/9/18 DDR5 16G (2Gx8) 4800/5600 图3：NAND中大容量现货价趋势（美元） 图4：NAND中小容量现货价趋势（美元） 图5：NANDWafer中大容量现货价趋势（美元） 图6：NANDWafer中小容量现货价趋势（美元）