广发海外电子通信存储行业强劲AI需求将扭转周期

核心观点与关键数据

DRAM 行业

• 周期扭转：自 4Q23 至 3Q24，DRAM 周期强劲反弹，但库存水平升高导致采购放缓。截至 2 月初，库存已降至正常水平，预计 3Q/4Q25 DRAM blended ASP 将上涨 2%/7%。
• 需求驱动：中国强劲需求及关税担忧推动智能手机、PC DRAM 库存恢复至约 7.5 周。AI PC 和数据中心需求持续增长，叠加中国 CSP 带来的增量需求。
• 供应格局：本土厂商仍以 DDR4 和 LPDDR4 为主，对 DDR5 市场影响有限。

NAND 行业

• 减产改善供需：主要供应商减产以应对 3Q24 价格大跌，预计 1Q25 价格跌幅 15%，2Q25 降至 -3%。
• 反弹预期：智能手机库存下降及 AI 需求增加推动企业级 SSD 价格 3Q/4Q25 上涨 13~18%/10~15%，eMMC 和 client SSD 环比上涨 5~10%。

HBM 行业

• 需求与供应：2025 年 HBM 需求达 180 亿 Gb，市场规模增长至 290 亿美元。三星 HBM3e 尚未通过验证，预计不会供过于求。
• 产能扩张：TSV 产能预计 2025 年底达 315KPM，但三星良率仍需提升。

存算一体技术

• 应用前景：存算一体改善冯·诺依曼架构的内存和功耗瓶颈，OpenAI 的 ASIC 将成为批量近存计算方案。
• 技术路线：多层 SRAM 使用 SoIC 封装，多芯片采用 CoWoS-L 封装，无需 HBM。
• 市场拓展：ASIC 市场快速扩张，近存处理将优化推理性能。
• 智能手机应用：Android OEM 计划 2026 年在旗舰手机中集成更多 NPU，兆易创新、华邦电子、南亚科技将供应特种 DRAM 并管理 3D 封装。