华福电子大科技陈海进二问HBM设备材料增量何在前道扩产

前道：扩产+自主可控，国产厂商核心受益

• 产能集中与扩产：国内前道DDR颗粒产能集中于DRAM龙头厂商，其传统DRAM持续扩产，远期规划或将比肩国际龙头现有产能。
• HBM进展：其HBM2或已量产，初步印证国产HBM替代可行性，中期HBM产能规划亦有望达数万片。
• 管制影响：若其进入管制清单，DRAM传统设备与HBM先进设备的扩产需求将基本由国产设备+材料厂商承接。

后道：先进封装+HBM堆叠蓄势待发，大有可为

• 设备国产化：HBM相比传统DRAM增量在堆叠键合，除核心设备TCB机外，其余设备如CMP、临时键合/解键合机、电镀机等均有国产机台推出。
• 材料导入：国产塑封料、硅微粉等HBM材料已导入国际龙头。
• 价值提升：随着2.5D/3D先进封装布局，叠加HBM后道堆叠产线建设，设备材料价值更上一层楼。

国产自主链相关公司

• 设备：北方华创、中微公司、华海清科、精智达、芯源微、赛腾股份等。
• 封测：长电科技、通富微电、深科技等。
• 材料：联瑞新材、雅克科技、华海诚科等。

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