【华福电子大科技陈海进】二问HBM:设备材料增量何在 前道:扩产+自主可控,国产厂商核心受益 目前国内前道DDR颗粒产能基本集中于DRAM龙头厂商,其传统DRAM持续扩产,远期规划或将比肩国际龙头现有产能。 同时,其HBM2或已量产,初步印证国产HBM替代可行性,中期HBM产能规划亦有望达数万片。若其进入管制清单,DRAM传统设备与HBM先进设备的扩产需求将基本由国产设备+材料厂 【华福电子大科技陈海进】二问HBM:设备材料增量何在 前道:扩产+自主可控,国产厂商核心受益 目前国内前道DDR颗粒产能基本集中于DRAM龙头厂商,其传统DRAM持续扩产,远期规划或将比肩国际龙头现有产能。 同时,其HBM2或已量产,初步印证国产HBM替代可行性,中期HBM产能规划亦有望达数万片。 若其进入管制清单,DRAM传统设备与HBM先进设备的扩产需求将基本由国产设备+材料厂商承接。后道:先进封装+HBM堆叠蓄势待发,大有可为 HBM相比传统DRAM增量在堆叠键合,目前除核心设备TCB机国产难度较大外,其余设备如CMP、临时键合/解键 合机、电镀机等,均有国产机台推出。 同时国产塑封料、硅微粉等HBM材料亦已到导入国际龙头。 随着2.5D/3D先进封装的布局,叠加HBM后道堆叠产线的建设,设备材料价值更上一层楼。国产自主链相关公司: ○设备:北方华创、中微公司、华海清科、精智达、芯源微、赛腾股份等 ○封测:长电科技、通富微电、深科技等 ○材料:联瑞新材、雅克科技、华海诚科等 ○相关HBM系列深度: 原厂倾力扩产,HBM会过剩吗?