国产化进展与HBM产业趋势总结
国产化进展与需求
- 中芯国际技术领先性：中芯国际在国内前端生产环节占据绝对领先地位，未来1-2年内技术优势仍突出，A股估值4.5倍，与台积电8倍市盈率相比有较大空间。
- 国产化需求旺盛：国产芯片设计公司需求量大增，预计明年季度环比增长显著，带动国内先进工艺技术提升，年底前AI芯片性能与海外差距预计在10%以内；先进封装环节良率将提升至90%以上。
先进封装环节进展
- 国内进展：长电科技、通富微电等企业在封装产业链升级方面投入研发，与台积电、海力士等合作研发2.5D先进封装及HBM堆叠技术，格局稳定，参与玩家较少。
存储端（HBM）国产化进展与路线
- 国产化路线：国内HBM有全国产化和部分国产化（初期海外采购+国内封装堆叠）两条路线，预计明年出现全国产化高端HBM产品。
AI芯片设计与生产格局
- 国内公司：海思、寒武纪、海光等是能完成AI芯片超大规模设计与生产的国内稀缺公司，需求量稳定，验证出色。
高端存储领域HBM囤积原因
- 囤积原因：为满足后续量产需求，以及国内HBM早期量产稳定性问题，通过超前布局确保国产化突破并逐步替代进口产品。
国产AI芯片产业发展节奏
- 发展节奏：随着国产化趋势，明年AI芯片产业链能力将快速提升，全国产化AI芯片性能优异，产量逐步增长，外部政策变化也可能带来影响。
实体清单、白名单审核和供应链渠道管控影响
- 实体清单影响：最严重，企业需3-4个季度重构产业链，成本高、耗时长。
- 白名单审核影响：相对较小，行业层面合规材料审查。
- 供应链渠道管控影响：与白名单审核相当，但全球化供应链复杂性使其影响较小，但能刺激内生需求增长。
政策层面讨论与影响
- 政策讨论：应对外部制裁成本增加，保证企业运营、融资及生产成本，客户使用成本增加。
- 政策措施：上市优惠条件、三级券等优惠措施已有所体现。
- 政策上限额度：无明确上限，短期内可能设定额度，长期着力保障产业健康平稳发展。
国产化推进政策落实情况
- 政策落地：专项债申请、房地产补贴范围扩大（5%-60%比例），早期方案已定型，政策强度和时间点不确定，但落脚点为抵消国际形势影响、应对成本提升及客户迁移成本，并进行产业引导。
确定性投资方向
- AI芯片：空间最大，寒武纪、海光走势强劲。
- 中芯国际：成熟制程升级至先进制程重要性提升，产业链表现突出。
- HBM：量级增长预期良好，未来几年投资机会较大。
先进封装环节市场机遇
- 机遇：AI芯片技术迭代加快，台积电等难以满足所有需求，其他供应商承接需求；封装和测试环节价值量占比大，单颗芯片封装端成本约280美元，测试端价值量达300美元以上。
封装和测试环节推荐厂商
- 封装：长电科技、通富微电。
- 测试：伟测科技（国内第三方测试产能第一）。
维特产能增加及未来测试环节看法
- 维特产能：固定资产产能增加一倍，但消费电子需求尚未完全反映新产能弹性。
- 未来测试：下半年行业需求恢复，大客户新芯片量释放，伟测科技等第三方测试公司将迎发展机会。
HBM领域供应链风险与国内厂商布局
- 供应链风险：存在风险，国内能布局HBM2E以上量产产品厂商较少，晶圆厂和封测厂分工不同。
- 国内厂商布局：可能采取与海外不同合作模式，分散投资压力；深科技、长电科技等在HBM和存储封测方面有深度布局。
HBM设备材料环节观察
- 国内布局：武汉新兴等公司开始量产三维集成产品，短期内与国际先进水平有差距，但新垣V、综合飞测等已获订单，预计设备市场将迎更大发展空间。
HBM产业链预期及设备订单情况
- 设备链预期：中报发布后有所提升，两层设备（如长长城青）及国内相关领域订单增长较快。
- 订单情况：圣美、新源微、平时电荷等已接到HBM相关过亿订单，预示下半年至明年国产HBM产能快速扩张。
如何预测国产化率及关注重点
- 预测国产化率：从国内卡厂设备使用数量及国产HPD产能推测。
- 关注重点：国内HBM创新和技术迭代周期比海外晚两年，设备材料供应商向国内供应链转换，受益于国产HBM的设备公司。
